IKW50N65ET7XKSA1

Infineon Technologies
726-IKW50N65ET7XKSA1
IKW50N65ET7XKSA1

メーカ：

詳細：
IGBT 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

データシート:
ECADモデル:
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在庫: 567

在庫：
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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥790 ¥790
¥504 ¥5,040
¥409.2 ¥40,920
¥322.3 ¥154,704

製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: IGBT
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.35 V
- 20 V, 20 V
80 A
273 W
- 40 C
+ 175 C
IGBT7 T7
Tube
ブランド: Infineon Technologies
組立国: CN
拡散国: DE
原産国: DE
ゲート - エミッタ リーク電流: 100 nA
製品タイプ: IGBT Transistors
工場パックの数量: 240
サブカテゴリ: IGBTs
トレードネーム: TRENCHSTOP
別の部品番号: IKW50N65ET7 SP005348292
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選択した属性: 0

データシート

Product Catalogs

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

工業用駆動

Infineon産業用ドライブは、モータドライブ用に最適化された効率的な半導体の幅広いポートフォリオを提供します。設計者は、Infineonインテリジェントパワーモジュール（IPM）および低消費電力範囲でのスマート設計を目的としたディスクリートに依存できます。中電力ドライブを対象としたInfineon EasyPIM™、EasyPACK™、EconoPIM™モジュールは、完璧なマッチングです。ハイパワー・スペクトルに移行すると、EconoDUAL™とPrimePACK™が選択できます。革新的な.XT相互接続技術と組み合わされています。PrimePACKモジュールは、熱および電力サイクル機能を向上させることで、寿命を延長することで、設計者がオーバー評価の問題を克服するのに役立ちます。

低損失デュオパックIGBT

Infineon Technologies低損失デュオパックIGBTは、堅牢な湿度設計になっており、Trenchstop™およびFieldstop™テクノロジー技術が活用されています。低損失デュオパックIGBTは、非常にソフトな高速リカバリ逆並列ダイオード、短テール電流、非常に低いVCEsatが特徴です。

IGBT7ディスクリート

Infineon Technologies IGBT7ディスクリートは、マイクロパターントレンチ技術で作られたTRENCHSTOP™ IGBTの第7世代です。高度技術によって、比類のない制御と性能が実現しており、アプリケーションでの大幅な損失低減、効率性の向上、電力密度の増大がもたらされています。

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