類似製品との比較
製品情報 |
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| 現在の製品 | 一番目 類似製品 | |
| 画像: |
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| Mouser 部品番号: | 595-CSD17313Q2 | 595-CSD17313Q2T |
| 製造業者の部品番号： | CSD17313Q2 | CSD17313Q2T |
| メーカ: | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 説明: | MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD17313Q2T | MOSFET 30V N-Channel NexFE T Power Mosfet A 595 A 595-CSD17313Q2 |
| ライフサイクル: | - | - |
| データシート: | CSD17313Q2 データシート | CSD17313Q2T データシート |
| RoHS: | ||
仕様 |
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| ブランド: | Texas Instruments | Texas Instruments |
| チャネルモード: | Enhancement | Enhancement |
| 構成: | Single | Single |
| 組立国: | CN | Not Available |
| 拡散国: | TW | Not Available |
| 原産国: | CN | CN |
| 開発キット: | TMDSCSK388, TMDSCSK8127 | - |
| 下降時間: | 1.3 ns | 1.3 ns |
| Id - 連続ドレイン電流: | 5 A | 5 A |
| 製造元: | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 最高動作温度: | + 150 C | + 150 C |
| 最低動作温度: | - 55 C | - 55 C |
| 取り付け様式: | SMD/SMT | SMD/SMT |
| チャンネル数: | 1 Channel | 1 Channel |
| パッケージ/ケース: | WSON-6 | WSON-FET-6 |
| パッケージ化: | Reel | Reel |
| Pd - 電力損失: | 17 W | 17 W |
| 製品タイプ: | MOSFETs | MOSFETs |
| Qg - ゲート電荷: | 2.1 nC | 2.1 nC |
| Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース: | 30 mOhms | 32 mOhms |
| 上昇時間: | 3.9 ns | 3.9 ns |
| RoHS - マウサー: | Y | Y |
| シリーズ: | CSD17313Q2 | CSD17313Q2 |
| 標準パックの数量: | 3000 | 250 |
| サブカテゴリ: | Transistors | Transistors |
| 技術: | Si | Si |
| トレードネーム: | NexFET | NexFET |
| トランジスタ極性: | N-Channel | N-Channel |
| トランジスタ タイプ: | 1 N-Channel Power MOSFET | 1 N-Channel |
| 標準電源切断遅延時間: | 4.2 ns | 4.2 ns |
| ターンオン時の標準遅延時間: | 2.8 ns | 2.8 ns |
| Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧: | 30 V | 30 V |
| Vgs - ゲート-ソース間電圧: | - 8 V, 8 V | - 8 V, 10 V |
| Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧: | 900 mV | 900 mV |
| 順方向トランスコンダクタンス - 最小: | - | 16 S |
発注情報 |
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| 在庫： | 24,887 すぐに出荷可能 | 729 すぐに出荷可能 |
| 工場リードタイム： | 12 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。 | 6 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。 |
| 購入: |
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| 価格： | ||