類似製品との比較
製品情報 |
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| Mouser 部品番号: | 595-TPS1101DR | 595-TPS1101D | ||||||||||||||||||||||||
| 製造業者の部品番号： | TPS1101DR | TPS1101D | ||||||||||||||||||||||||
| メーカ: | Texas Instruments | Texas Instruments | ||||||||||||||||||||||||
| 説明: | MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET A 595-TPS110 A 595-TPS1101D | MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET A 595-TPS110 A 595-TPS1101DR | ||||||||||||||||||||||||
| ライフサイクル: | - | - | ||||||||||||||||||||||||
| データシート: | TPS1101DR データシート | TPS1101D データシート | ||||||||||||||||||||||||
| RoHS: | ||||||||||||||||||||||||||
仕様 |
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| ブランド: | Texas Instruments | Texas Instruments | ||||||||||||||||||||||||
| チャネルモード: | Enhancement | Enhancement | ||||||||||||||||||||||||
| 構成: | Single | Single | ||||||||||||||||||||||||
| 組立国: | Not Available | Not Available | ||||||||||||||||||||||||
| 拡散国: | Not Available | Not Available | ||||||||||||||||||||||||
| 原産国: | TW | MX | ||||||||||||||||||||||||
| 下降時間: | 5.5 ns | 5.5 ns | ||||||||||||||||||||||||
| 順方向トランスコンダクタンス - 最小: | 4.3 S | 4.3 S | ||||||||||||||||||||||||
| Id - 連続ドレイン電流: | 2.3 A | 2.3 A | ||||||||||||||||||||||||
| 製造元: | Texas Instruments | Texas Instruments | ||||||||||||||||||||||||
| 最高動作温度: | + 150 C | + 150 C | ||||||||||||||||||||||||
| 最低動作温度: | - 40 C | - 40 C | ||||||||||||||||||||||||
| 取り付け様式: | SMD/SMT | SMD/SMT | ||||||||||||||||||||||||
| チャンネル数: | 1 Channel | 1 Channel | ||||||||||||||||||||||||
| パッケージ/ケース: | SOIC-8 | SOIC-8 | ||||||||||||||||||||||||
| パッケージ化: | Reel | Tube | ||||||||||||||||||||||||
| Pd - 電力損失: | 791 mW | 791 mW | ||||||||||||||||||||||||
| 製品タイプ: | MOSFETs | MOSFETs | ||||||||||||||||||||||||
| Qg - ゲート電荷: | 11.25 nC | 11.25 nC | ||||||||||||||||||||||||
| Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース: | 90 mOhms | 90 mOhms | ||||||||||||||||||||||||
| 上昇時間: | 5.5 ns | 5.5 ns | ||||||||||||||||||||||||
| RoHS - マウサー: | Y | Y | ||||||||||||||||||||||||
| シリーズ: | TPS1101 | TPS1101 | ||||||||||||||||||||||||
| 標準パックの数量: | 2500 | 75 | ||||||||||||||||||||||||
| サブカテゴリ: | Transistors | Transistors | ||||||||||||||||||||||||
| 技術: | Si | Si | ||||||||||||||||||||||||
| トランジスタ極性: | P-Channel | P-Channel | ||||||||||||||||||||||||
| トランジスタ タイプ: | 1 P-Channel | 1 P-Channel | ||||||||||||||||||||||||
| 標準電源切断遅延時間: | 19 ns | 19 ns | ||||||||||||||||||||||||
| ターンオン時の標準遅延時間: | 6.5 ns | 6.5 ns | ||||||||||||||||||||||||
| Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧: | 15 V | 15 V | ||||||||||||||||||||||||
| Vgs - ゲート-ソース間電圧: | - 15 V, 2 V | - 15 V, 2 V | ||||||||||||||||||||||||
| Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧: | 1.5 V | 1.5 V | ||||||||||||||||||||||||
発注情報 |
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| 在庫： | 在庫なし | 175 すぐに出荷可能 | ||||||||||||||||||||||||
| 工場リードタイム： | 6 週間 工場生産予定時間。 | 12 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。 | ||||||||||||||||||||||||
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| 価格： |
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