類似製品との比較
製品情報 |
||
|---|---|---|
| 現在の製品 | 一番目 類似製品 | |
| 画像: |
|
|
| Mouser 部品番号: | 595-CSD18503Q5AT | 595-CSD18503Q5A |
| 製造業者の部品番号: | CSD18503Q5AT | CSD18503Q5A |
| メーカ: | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 説明: | MOSFET 40V CSD18503Q5A 8-VS ONP A 595-CSD18503Q A 595-CSD18503Q5A | MOSFET 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18503Q5AT |
| ライフサイクル: | - | - |
| データシート: | CSD18503Q5AT データシート | CSD18503Q5A データシート |
| RoHS: | ||
仕様 |
||
| ブランド: | Texas Instruments | Texas Instruments |
| チャネルモード: | Enhancement | Enhancement |
| 構成: | Single | Single |
| 組立国: | Not Available | CN |
| 拡散国: | Not Available | CN |
| 原産国: | CN | CN |
| 下降時間: | 2.6 ns | 2.6 ns |
| 順方向トランスコンダクタンス - 最小: | 100 S | 100 S |
| Id - 連続ドレイン電流: | 100 A | 121 A |
| 製造元: | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 最高動作温度: | + 150 C | + 150 C |
| 最低動作温度: | - 55 C | - 55 C |
| 取り付け様式: | SMD/SMT | SMD/SMT |
| チャンネル数: | 1 Channel | 1 Channel |
| パッケージ/ケース: | VSONP-8 | VSONP-8 |
| パッケージ化: | Reel | Reel |
| Pd - 電力損失: | 120 W | 120 W |
| 製品タイプ: | MOSFETs | MOSFETs |
| Qg - ゲート電荷: | 32 nC | 27 nC |
| Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース: | 4.7 mOhms | 4.3 mOhms |
| 上昇時間: | 8.8 ns | 8.8 ns |
| RoHS - マウサー: | E | E |
| シリーズ: | CSD18503Q5A | CSD18503Q5A |
| 標準パックの数量: | 250 | 2500 |
| サブカテゴリ: | Transistors | Transistors |
| 技術: | Si | Si |
| トレードネーム: | NexFET | NexFET |
| トランジスタ極性: | N-Channel | N-Channel |
| トランジスタ タイプ: | 1 N-Channel | 1 N-Channel |
| 標準電源切断遅延時間: | 15 ns | 15 ns |
| ターンオン時の標準遅延時間: | 4.5 ns | 4.5 ns |
| Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧: | 40 V | 40 V |
| Vgs - ゲート-ソース間電圧: | - 20 V, 20 V | - 20 V, 20 V |
| Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧: | 1.5 V | 1.5 V |
発注情報 |
||
| 在庫: | 395 すぐに出荷可能 | 1,374 すぐに出荷可能 |
| 工場リードタイム: | 6 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。 | 12 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。 |
| 購入: |
|
|
| 価格: | ||
