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1EDB9275FXUMA1

Name: Infineon 1EDB9275FXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-1EDB9275FXUMA1
Price: 235 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

726-1EDB9275FXUMA1

メーカ番号：

1EDB9275FXUMA1

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

ゲートドライバ ISOLATED DRIVER

データシート:

1EDB9275FXUMA1 データシート (PDF)

ECADモデル:

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在庫: 2,294

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数量	ユニット価格	合計額
	¥235.4	¥235
	¥172.2	¥1,722
	¥156.4	¥3,910
	¥138.9	¥13,890
	¥130.5	¥32,625
	¥124.7	¥62,350
	¥123.7	¥123,700
完全リール（2500の倍数で注文）
	¥116.8	¥292,000
	¥114.1	¥570,500

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	ゲートドライバ
RoHS:
製品:	Isolated Gate Drivers
取り付け様式:	SMD/SMT
ドライバ数:	1 Driver
出力数:	1 Output
出力電流:	9.8 A
供給電圧 - 最小:	3 V
供給電圧 - 最大:	15 V
上昇時間:	8.3 ns
下降時間:	5 ns
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 125 C
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	Infineon Technologies
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	CN
水分感度:	Yes
製品タイプ:	Gate Drivers
工場パックの数量:	2500
サブカテゴリ:	PMIC - Power Management ICs
トレードネーム:	EiceDRIVER
別の部品番号:	1EDB9275F SP005354185

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選択した属性: 0

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データシート

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Product Catalogs

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542310030
ECCN:: EAR99

EiceDRIVER™ゲートドライバIC

Infineon EiceDRIVER™ ゲートドライバICは、MOSFET、IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMTデバイスに適するように設計されています。EiceDRIVER™ ゲートドライバは、0.1A～最大10Aの間で標準出力電流をさまざまに選択できます。これらのデバイスは、高速短絡保護（DESAT）、アクティブミラークランプ、シュートスルー保護、フォルト、シャットダウン、過電流保護などの堅牢なゲートドライブ保護機能を搭載しています。これらの特徴により、これらのドライバICは、CoolGaN™ やCoolSiC™ を含むシリコンおよび広帯域ギャップ電力デバイスに適しています。Infineonは、どんな電力スイッチやアプリケーションにも適した500以上のEiceDRIVER™ ゲートドライバICソリューションを提供しています。

CoolSiC™ MOSFETs 650V

Infineon Technologies CoolSiC™ MOSFET650Vは、炭化ケイ素の物理的強度とデバイスの性能、信頼性、使いやすさを向上させる機能を兼ね備えています。最先端のトレンチ半導体プロセスによって、CoolSiC™ MOSFETは、アプリケーションでの損失を最小限に抑え、動作時に最高の信頼性を実現します。CoolSiCは、高温で過酷な環境のアプリケーションでの使用に完璧に適しています。

1チャンネルEiceDRIVER™ MOSFETゲートドライバIC

Infineon Technologies 1チャンネルEiceDRIVER™ MOSFETゲートドライバICは、制御ICとパワフルなMOSFETおよびGaNスイッチングデバイスとの間の重要なリンクです。これらのゲート・ドライバICは、高いシステムレベル効率、優れた電力密度、一貫したシステム堅牢性を可能にします。