ブラウザのJavascriptが無効になっています。このページの機能の一部は、ログインしないと作動しません。

IMZA65R048M1HXKSA1

Name: Infineon IMZA65R048M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMZA65R048M1HXKS
Price: 1441 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

726-IMZA65R048M1HXKS

メーカ番号：

IMZA65R048M1HXKSA1

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

データシート:

IMZA65R048M1HXKSA1 データシート (PDF)

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

Infineon Technologies IMZA65R048M1HXKSA1の詳細を読む

在庫: 120

在庫：: 120 すぐに出荷可能

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
工場リードタイム：: 8 週間表示されている時間を超える工場生産予定時間。

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
	¥1,441	¥1,441
	¥848.5	¥8,485
	¥832.7	¥83,270
	¥767.9	¥368,592

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-4
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	650 V
Id - 連続ドレイン電流:	39 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	64 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 5 V, + 23 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	5.7 V
Qg - ゲート電荷:	33 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	125 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	CoolSiC
ブランド:	Infineon Technologies
構成:	Single
組立国:	CN
拡散国:	Not Available
原産国:	AT
下降時間:	13 ns
パッケージ化:	Tube
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	12.6 ns
シリーズ:	IMZA65R048
工場パックの数量:	240
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	SiC
標準電源切断遅延時間:	17 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	14.8 ns
別の部品番号:	IMZA65R048M1H SP005398433
単位重量:	6 g

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

IMZA65R048M1HXKSA1 データシート (PDF)

Models

IMZA65R048M1HXKSA1 Symbol & Footprint by SnapMagic

Product Catalogs

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

炭化ケイ素CoolSiC™ MOSFET&ダイオード

Infineon炭化ケイ素CoolSiC™ MOSFETとダイオードは、よりスマートで効率的なエネルギーの生成、伝送、消費のニーズに応える包括的なポートフォリオを提供します。CoolSiCポートフォリオは、中〜高出力システムにおいて、システムのサイズとコストを削減するお客様のニーズに応えます。最高の品質基準を満たし、長寿命を確保し、信頼性を保証します。CoolSiCを使用することで、お客様は最も厳しい効率性目標を達成しつつ、運用コストを削減できます。ポートフォリオには、CoolSiC SCHOTTKYダイオード、CoolSiCハイブリッドモジュール、CoolSiC MOSFETモジュール、ディスクリート部品、及び炭化ケイ素デバイスを駆動するためのEiceDRIVER™ ゲートドライバICが含まれています。

CoolSiC™ MOSFET

Infineon CoolSiC™ MOSFETは、最先端のtrench半導体プロセスで構築されており、アプリケーションでの最低レベルの損失と、動作での最高レベルの信頼性の両方を実現できるように最適化されています。TOおよびSMD筐体のディスクリートCoolSiCポートフォリオは、650V、1,200V、1,700V電圧クラスになっており、オン抵抗定格は27mΩ ～最大1,000mΩ です。CoolSiC trench技術によって、各製品ポートフォリオにおけるアプリケーション固有の機能の実装に使用される柔軟性に富んだパラメータセットが実現します。これらの機能には、ゲート-ソース電圧、アバランシェ仕様、短絡機能、またはハード整流に定格された内部ボディダイオードがあります。

CoolSiC™ MOSFETs 650V

Infineon Technologies CoolSiC™ MOSFET650Vは、炭化ケイ素の物理的強度とデバイスの性能、信頼性、使いやすさを向上させる機能を兼ね備えています。最先端のトレンチ半導体プロセスによって、CoolSiC™ MOSFETは、アプリケーションでの損失を最小限に抑え、動作時に最高の信頼性を実現します。CoolSiCは、高温で過酷な環境のアプリケーションでの使用に完璧に適しています。

パワーの違いを体験する

インフィニオンは、パワー半導体市場のリーダーです。20年以上の経験を持ち、画期的なCoolMOS™ スーパージャンクションMOSFETテクノロジーの革新者であるInfineonは、電源管理分野での先駆者としての地位を維持しています。お客様は、業界で最も幅広いシリコンベースのSJ MOSFETポートフォリオから、個々の設計およびシステム要件に応じて選択できます。主要な3つの電源テクノロジーをすべて網羅している数少ないメーカーの一つとして、Infineonは革新的なワイドバンドギャップ（WBG）製品をこのポートフォリオに追加しています。この製品には、炭化ケイ素ベースのCoolSiC™ MOSFET、対応するダイオード、および窒化ガリウムベースのCoolGaN™ e-mode HEMTが含まれています。優れたコストパフォーマンスから比類のない堅牢性、そして最高クラスのデバイスまで、さまざまなソリューションが提供されています。これにより、顧客はより効率的で環境に優しく、持続可能なアプリケーションを構築できます。

650V CoolSiC™ M1トレンチパワーMOSFET

Infineon Technologies 650V CoolSiC™ M1トレンチパワーMOSFETは、シリコンカーバイドに固有の強い物理特性をさらに強化したことで、デバイスの性能、堅牢性、使い易さを改善する独自の特長を備えています。CoolSiC M1 MOSFETは、極めて高い動作時の信頼性と非常に低いアプリケーション損失を実現するように最適化された最先端トレンチ半導体プロセスを使って製造されています。高温や過酷環境下での動作に適しており、システムの複雑度およびコストの低減し、最高レベルの効率を実現できます。

住宅用エネルギー貯蔵システム（ESS）

Infineonレジデンシャル・ストレージ・ソリューション（ESS）には、弾力性のあるエネルギーインフラを最適なコストで作成および管理する多種多様な製品があります。ESSには、2通りの主要な使用事例があります。最初の事例は、ユーティリティが独立した太陽光の家庭（住宅環境）を作り出しています。2つ目の事例は、より大きなスケールで、需要の高い期間に電力が生成されます（ユーティリティスケールESS）。