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IPW60R024CFD7XKSA1

Name: Infineon IPW60R024CFD7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPW60R024CFD7XKS
Price: 2115 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

726-IPW60R024CFD7XKS

メーカ番号：

IPW60R024CFD7XKSA1

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

MOSFET HIGH POWER_NEW

データシート:

IPW60R024CFD7XKSA1 データシート (PDF)

ECADモデル:

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在庫: 408

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	650 V
Id - 連続ドレイン電流:	77 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	24 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4 V
Qg - ゲート電荷:	183 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	320 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Tube
ブランド:	Infineon Technologies
構成:	Single
組立国:	CN
拡散国:	Not Available
原産国:	DE
製品タイプ:	MOSFETs
シリーズ:	IPW60R024CFD7
工場パックの数量:	240
サブカテゴリ:	Transistors
別の部品番号:	IPW60R024CFD7 SP002621050
単位重量:	6 g

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データシート

IPW60R024CFD7XKSA1 データシート (PDF)

Models

IPW60R024CFD7XKSA1 Symbol & Footprint by SnapMagic

Product Catalogs

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JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CFD7 CoolMOS™ MOSFET

Infineon Technologies CFD7 CoolMOS™MOSFETは、共振ハイパワー・トポロジに最適で、高電圧スーパージャンクションMOSFET技術が特徴です。このMOSFETには、統合高速ボディダイオードとCoolMOS 7シリーズがあります。一般的な高電力SMPSアプリケーションには、サーバ、テレコム、EV充電ステーションがあります。

CoolMOS™スーパージャンクションMOSFET

Infineon CoolMOS™ パワートランジスタは、高速スイッチングSJ MOSFETの全メリットを実現しています。CoolMOS 7の導入により、Infineonは、価格、性能、品質の基準を引き続き設定しています。

パワーの違いを体験する

インフィニオンは、パワー半導体市場のリーダーです。20年以上の経験を持ち、画期的なCoolMOS™ スーパージャンクションMOSFETテクノロジーの革新者であるInfineonは、電源管理分野での先駆者としての地位を維持しています。お客様は、業界で最も幅広いシリコンベースのSJ MOSFETポートフォリオから、個々の設計およびシステム要件に応じて選択できます。主要な3つの電源テクノロジーをすべて網羅している数少ないメーカーの一つとして、Infineonは革新的なワイドバンドギャップ（WBG）製品をこのポートフォリオに追加しています。この製品には、炭化ケイ素ベースのCoolSiC™ MOSFET、対応するダイオード、および窒化ガリウムベースのCoolGaN™ e-mode HEMTが含まれています。優れたコストパフォーマンスから比類のない堅牢性、そして最高クラスのデバイスまで、さまざまなソリューションが提供されています。これにより、顧客はより効率的で環境に優しく、持続可能なアプリケーションを構築できます。