AS4C256M16D3LC-10BIN

Alliance Memory
913-4C256M16D3L10BIN
AS4C256M16D3LC-10BIN

メーカ：

詳細：
DRAM DDR3, 4G, 256M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 933MHZ, Industrial Temp - Tray

データシート:
ECADモデル:
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥3,885.2 ¥3,885
¥3,596.1 ¥35,961
¥3,480.7 ¥87,018
¥3,395.4 ¥169,770
¥3,250.1 ¥325,010
¥3,210.6 ¥671,015
¥3,183.7 ¥1,330,787
1,045 見積り

製品属性 属性値 属性の選択
Alliance Memory
製品カテゴリー: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR3L
4 Gbit
16 bit
933 MHz
FBGA-96
256 M x 16
20 ns
1.283 V
1.45 V
- 40 C
+ 95 C
Tray
ブランド: Alliance Memory
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: TW
水分感度: Yes
取り付け様式: SMD/SMT
製品タイプ: DRAM
工場パックの数量: 209
サブカテゴリ: Memory & Data Storage
供給電流 - 最大: 84 mA
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選択した属性: 0

データシート

CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320036
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

DDR3 Synchronous DRAM

Alliance Memory DDR3 Synchronous DRAM (SDRAM) achieves high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1600Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3 DRAM key features, and all of the control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks. Inputs are latched at the cross point of differential clocks (CK rising and CK# falling). All I/Os are synchronized with differential DQS pairs in a source synchronous fashion. These Alliance Memory devices operate with a single 1.5V ± 0.075V power supply and are available in BGA packages.

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