ADPA1116ACGZN-R7

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Mouser 番号：

584-ADPA1116ACGZN-R7

メーカ番号：

ADPA1116ACGZN-R7

メーカ：

Analog Devices

詳細：

RF Amplifier GaN Wideband Power Amplifier ICs

ライフサイクル:

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ADPA1116ACGZN-R7 データシート

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Analog Devices Inc.
製品カテゴリー:	RF 増幅器
配送制限:	マウサーは現在お客様の地域でこの製品を販売しておりません。
動作周波数:	300 MHz to 6 GHz
動作供給電圧:	28 V
ゲイン:	32.5 dB
タイプ:	Power Amplifiers
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	LFCSP-32
技術:	GaN
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 85 C
シリーズ:	ADPA1116
パッケージ化:	Reel
ブランド:	Analog Devices
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	TW
開発キット:	EVAL-ADPA1116
チャンネル数:	1 Channel
Pd - 電力損失:	28.7 W
製品タイプ:	RF Amplifier
工場パックの数量:	500
サブカテゴリ:	Wireless & RF Integrated Circuits

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USHTS:: 8542330001
TARIC:: 8542330000
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ECCN:: EAR99

ADPA1116 GaN パワーアンプ

Analog Devices ADPA1116GaN パワーアンプは、39.5dBmの飽和出力電力（P_OUT）、40%の電力付加効率（PAE）、16,0dBmの入力電力（P_IN）における0.5GHzから5GHzまでの23.5dB典型的な電力利得を特徴としています。RF入力と出力は内部整合され、AC結合されています。ドレイン・バイアス電圧28Vが V_{DD1 と V_{DD2 端子に印加されます。V DD1} と V DD2} 端子にはバイアス・インダクタが内蔵されています。ドレイン電流は V_GG1 端子の負電圧で設定します。ADPA1116は窒化ガリウム（GaN）プロセスで製造され、32-leadチップスケールパッケージで提供されます。ADIADPA1116アンペアは、-40°Cから+85°Cまでの動作用に指定されています。