GS8161E18DGD-250

GSI Technology
464-GS8161E18DGD-250
GS8161E18DGD-250

メーカ：

詳細：
SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M

データシート:
ECADモデル:
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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥3,995.8 ¥3,996
¥3,701.9 ¥37,019
¥3,585 ¥89,625
¥3,496.5 ¥125,874
¥3,136.3 ¥338,720
¥3,039.9 ¥766,055
¥2,908.8 ¥1,466,035
1,008 見積り

製品属性 属性値 属性の選択
GSI Technology
製品カテゴリー: SRAM
RoHS:  
18 Mbit
1 M x 18
5.5 ns
250 MHz
Parallel
3.6 V
2.3 V
210 mA, 230 mA
0 C
+ 70 C
SMD/SMT
BGA-165
Tray
ブランド: GSI Technology
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: Not Available
メモリ タイプ: SDR
水分感度: Yes
製品タイプ: SRAM
シリーズ: GS8161E18DGD
工場パックの数量: 36
サブカテゴリ: Memory & Data Storage
トレードネーム: SyncBurst
タイプ: DCD Pipeline/Flow Through
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選択した属性: 0

データシート

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JPHTS:
854232029
CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320041
USHTS:
8542320041
KRHTS:
8542321020
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542320201
ECCN:
3A991.b.2.b

SyncBurst SRAMs

GSI Technology SyncBurst SRAMs are a broad portfolio of Synchronous Burst (SyncBurst™) SRAMs with fast clock rates and low power. SyncBurst SRAMs provide a "burst" of (typically) 2 to 4 words in response to a single clock signal. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. GSI Technology SyncBurst SRAMs are used in military, networking, industrial, automotive, and medical imaging applications where a mid-range performance point is required.

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