GS88118CD-200I

GSI Technology
464-GS88118CD-200I
GS88118CD-200I

メーカ：

詳細：
SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M

データシート:
ECADモデル:
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¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥2,779.2 ¥2,779
¥2,578.6 ¥25,786
¥2,498 ¥62,450
¥2,437.9 ¥121,895
¥2,180.4 ¥156,989
¥2,114 ¥608,832
¥2,058.7 ¥1,037,585
1,008 見積り

製品属性 属性値 属性の選択
GSI Technology
製品カテゴリー: SRAM
9 Mbit
512 k x 18
6.5 ns
200 MHz
Parallel
3.6 V
2.3 V
150 mA, 175 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
BGA-165
Tray
ブランド: GSI Technology
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: TW
メモリ タイプ: SDR
水分感度: Yes
製品タイプ: SRAM
シリーズ: GS88118CD
工場パックの数量: 72
サブカテゴリ: Memory & Data Storage
トレードネーム: SyncBurst
タイプ: Pipeline/Flow Through
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選択した属性: 0

データシート

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JPHTS:
854232029
CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320041
USHTS:
8542320041
KRHTS:
8542321020
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542320201
ECCN:
3A991.b.2.b

SyncBurst SRAMs

GSI Technology SyncBurst SRAMs are a broad portfolio of Synchronous Burst (SyncBurst™) SRAMs with fast clock rates and low power. SyncBurst SRAMs provide a "burst" of (typically) 2 to 4 words in response to a single clock signal. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. GSI Technology SyncBurst SRAMs are used in military, networking, industrial, automotive, and medical imaging applications where a mid-range performance point is required.

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