IXFH26N50P

Name: IXYS IXFH26N50P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH26N50P
Price: 1434 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

747-IXFH26N50P

メーカ番号：

IXFH26N50P

メーカ：

IXYS

詳細：

MOSFET HiPERFET Id26 BVdass500

データシート:

IXFH26N50P データシート

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	IXYS
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	500 V
Id - 連続ドレイン電流:	26 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	230 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 30 V, 30 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3 V
Qg - ゲート電荷:	60 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	400 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	HiPerFET
パッケージ化:	Tube
ブランド:	IXYS
構成:	Single
組立国:	KR
拡散国:	Not Available
原産国:	KR
下降時間:	20 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	26 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	25 ns
シリーズ:	HiPerFET
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	58 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	20 ns
単位重量:	6 g

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JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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