IXFN140N20P

Name: IXYS IXFN140N20P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN140N20P
Price: 4567 JPY
Availability: OutOfStock

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Mouser 番号：

747-IXFN140N20P

メーカ番号：

IXFN140N20P

メーカ：

IXYS

詳細：

MOSFETモジュール 140 Amps 200V 0.018 Rds

データシート:

IXFN140N20P データシート

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	IXYS
製品カテゴリー:	MOSFETモジュール
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Screw Mount
パッケージ/ケース:	SOT-227-4
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	200 V
Id - 連続ドレイン電流:	115 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	18 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	5 V
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	680 W
シリーズ:	IXFN140N20
パッケージ化:	Tube
ブランド:	IXYS
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	KR
下降時間:	90 ns
高さ:	12.22 mm
長さ:	38.23 mm
製品タイプ:	MOSFET Modules
上昇時間:	35 ns
工場パックの数量:	10
サブカテゴリ:	Discrete and Power Modules
トレードネーム:	HiPerFET
タイプ:	PolarHT HiPerFET Power MOSFET
標準電源切断遅延時間:	150 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	30 ns
幅:	25.42 mm
単位重量:	30 g

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IXFN140N20P データシート

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (t_rr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest R_DS(on), low R_thJC, low Q_g, and enhanced dv/dt capability.