IXFN160N30T

IXYS
747-IXFN160N30T
IXFN160N30T

メーカ：

詳細：
MOSFETモジュール TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 300V 130A

データシート:
ECADモデル:
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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥5,010.2 ¥5,010
¥3,686.1 ¥36,861
¥3,199.5 ¥319,950
¥3,197.9 ¥1,598,950

製品属性 属性値 属性の選択
IXYS
製品カテゴリー: MOSFETモジュール
RoHS:  
Si
Screw Mount
SOT-227-4
N-Channel
1 Channel
300 V
130 A
19 mOhms
- 20 V, + 20 V
5 V
- 55 C
+ 150 C
900 W
IXFN160N30
Tube
ブランド: IXYS
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: KR
下降時間: 25 ns
高さ: 12.22 mm
長さ: 38.23 mm
製品タイプ: MOSFET Modules
上昇時間: 38 ns
工場パックの数量: 10
サブカテゴリ: Discrete and Power Modules
トレードネーム: HiPerFET
タイプ: GigaMOS Power MOSFET
標準電源切断遅延時間: 105 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 37 ns
幅: 25.42 mm
単位重量: 30 g
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選択した属性: 0

データシート

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JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541900000
MXHTS:
8541900299
ECCN:
EAR99

Gen1 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen1 Trench Gate Power MOSFETs are ideally suited for low voltage/ high current applications, requiring an exceedingly low RDS(ON), enabling very low power dissipation. This, combined with wide-ranging operating junction temperature, from -40°C to 175°C, make them suitable candidates for automobile applications and other similar demanding applications in harsh environments.

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