IXFN32N100Q3

Name: IXYS IXFN32N100Q3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN32N100Q3
Price: 7233 JPY
Availability: OutOfStock

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Mouser 番号：

747-IXFN32N100Q3

メーカ番号：

IXFN32N100Q3

メーカ：

IXYS

詳細：

MOSFETモジュール Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/28A

データシート:

IXFN32N100Q3 データシート

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	IXYS
製品カテゴリー:	MOSFETモジュール
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Screw Mount
パッケージ/ケース:	SOT-227-4
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1 kV
Id - 連続ドレイン電流:	28 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	320 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 30 V, + 30 V
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	780 W
シリーズ:	IXFN32N1003
パッケージ化:	Tube
ブランド:	IXYS
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	KR
製品タイプ:	MOSFET Modules
上昇時間:	300 ns
工場パックの数量:	10
サブカテゴリ:	Discrete and Power Modules
トレードネーム:	HiPerFET
タイプ:	HiperFET
単位重量:	30 g

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HiPerFET Power MOSFETs

IXYS has expanded the HiPerFET MOSTET family by introducing the Q3-Class products. The new Q3-Class provide up to a 25 percent reduction in on-state resistance, 27 percent reduction in input capacitance, 28 percent reduction in gate chare, 41 percent increase in maximum power dissipation, and up to 50 percent reduction in thermal resistances. These high-current, Polar HT™/HV™ HiPerFET™ power MOSFETs from IXYS are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types. View all .

Q3-Class HiperFET™パワーMOSFET

IXYSQ3クラスHiperFET™パワーMOSFETは、卓越したパワースイッチング性能を持つ幅広いデバイスをエンドユーザーに提供します。また、優れた熱特性、強化されたデバイスの堅牢性、高エネルギー効率も備わっています。これらのMOSFETには、200V～1,000Vのドレイン－ソース間電圧定格および10A ～100Aのドレイン電流定格が備わっています。これらの特徴により、Q3クラスは、低オン状態抵抗（R_dson）とゲート電荷（Q_g）の最適化された組み合わせとなり、デバイスの伝導損失とスイッチング損失を大幅に低減します。パワースイッチング機能とデバイスの堅牢性は、HyperFETプロセスを活用することでさらに強化されています。このプロセスによって、高速真性整流器が生成され、デバイスの整流dv/dt定格（最大50V/ns）を強化しながら低逆回復電荷(Q_rr) を実現しています。