IXFP7N100P

Name: IXYS IXFP7N100P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFP7N100P
Price: 1110 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

747-IXFP7N100P

メーカ番号：

IXFP7N100P

メーカ：

IXYS

詳細：

MOSFET 7 Amps 1000V

データシート:

IXFP7N100P データシート

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

IXYS IXFP7N100Pの詳細を読む

在庫: 1,345

在庫：: 1,345 すぐに出荷可能

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
工場リードタイム：: 27 週間表示されている時間を超える工場生産予定時間。

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
	¥1,110.7	¥1,111
	¥636.7	¥6,367
	¥583	¥58,300
	¥565.6	¥282,800
	¥564.1	¥564,100

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	IXYS
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-220-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1 kV
Id - 連続ドレイン電流:	7 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	1.9 Ohms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 30 V, 30 V
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	300 W
トレードネーム:	HiPerFET
パッケージ化:	Tube
ブランド:	IXYS
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	KR
製品タイプ:	MOSFETs
シリーズ:	IXFP7N100
工場パックの数量:	50
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
単位重量:	2 g

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

IXFP7N100P データシート

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

電気自動車DC高速充電器

Littelfuse電気自動車（EV）充電ソリューションには、オフボードDC高速充電器があります。Littelfuse EV充電ソリューションによって、設計者は、EV充電装置が機能的かつ安全であることを保証する最適なソリューションを選択できます。

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (t_rr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest R_DS(on), low R_thJC, low Q_g, and enhanced dv/dt capability.