IXFT320N10T2

Name: IXYS IXFT320N10T2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFT320N10T2
Price: 3346 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

747-IXFT320N10T2

メーカ番号：

IXFT320N10T2

メーカ：

IXYS

詳細：

MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET

データシート:

IXFT320N10T2 データシート

ECADモデル:

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在庫: 1,737

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	IXYS
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	D3PAK-3 (TO-268-3)
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	100 V
Id - 連続ドレイン電流:	320 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	3.5 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4 V
Qg - ゲート電荷:	430 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	1 kW
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	HiPerFET
パッケージ化:	Tube
ブランド:	IXYS
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	PH
下降時間:	73 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	80 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	46 ns
シリーズ:	IXFT320N10
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	73 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	36 ns
単位重量:	6.500 g

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ECCN:: EAR99

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