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IXFY30N25X3

Name: IXYS IXFY30N25X3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFY30N25X3
Price: 1189 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

747-IXFY30N25X3

メーカ番号：

IXFY30N25X3

メーカ：

IXYS

詳細：

MOSFET TO252 250V 30A N-CH X3CLASS

データシート:

IXFY30N25X3 データシート

ECADモデル:

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	¥646.2	¥6,462
	¥605.1	¥42,357

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	IXYS
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	TO-252-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	250 V
Id - 連続ドレイン電流:	30 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	60 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.5 V
Qg - ゲート電荷:	21 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	170 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	HiPerFET
パッケージ化:	Tube
ブランド:	IXYS
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	KR
下降時間:	20 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	14 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	24 ns
シリーズ:	HiPerFET
工場パックの数量:	70
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	77 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	16 ns
単位重量:	330 mg

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

X3-Class 200V-300VパワーMOSFET（HiPerFET™搭載）

IXYS X3-Class 200V-300VパワーMOSFET（HiPerFET™️搭載）は、Nチャンネル拡張モードが搭載されたアバランシェ定格の高速真性ダイオードです。これらのMOSFETは、低R_DS(ON)、低ゲート電荷 (Q_G)、高電力密度が特徴です。 IXYS X3-Class 200V-300VパワーMOSFETには、HiPerFET™が搭載されており、高速スイッチング中のレフトオーバー・エンジンを外し、デバイスの故障を回避します。一般的なアプリケーションには、DC-DCコンバータ、電源、ロボティクス、サーボ制御、軽量電気自動車用のバッテリ充電器があります。

850VウルトラジャンクションX-Class HiPerFET™ MOSFET

IXYS 850V Ultra Junction X-Class HiPerFET™ MOSFETは、エンハンスメントモードのアバランシェ定格高速真性ダイオードです。これらのMOSFETは、高電力密度および低RDS_（ON）および低Q_Gが備わった低パッケージインダクタンスを用いて設計されています。X-class MOSFETは、国際規格パッケージでご用意があります。一般的なアプリケーションには、スイッチモードと共振モード電源、ロボット工学とサーボ制御、その他類似のアプリケーションがあります。
詳細

ソーラーインバータとバッテリエネルギー貯蔵システム

Littelfuse ソーラーインバーターとバッテリーエネルギー貯蔵システム (BESS) は、AC結合とDC結合の両方のソーラーシステムで動作します。AC結合ソーラーシステムは2つのインバータが特徴で、より高い柔軟性と簡単な設置に対応します。DC結合ソーラーシステムには単一のインバータがあり、BESSとPVの間の短いケーブルによって損失が低減されるため、より高い効率性を実現します。Littelfuse ソーラーインバータとBESS部品には、TVSダイオード、MOSFET、IGBTドライバ、ヒューズ、リレーなどが含まれます。

ヒートポンプ

リテルヒューズ (Littelfuse)は、ヒューズ、TVS ダイオード、ゲートドライバーなど、ヒートポンプ用のコンポーネントの幅広いポートフォリオを提供しています。熱ポンプ市場は急速に成長しており、政府の取り組みにより温室効果ガスの排出量を削減し、エネルギーコストを増加させています。インバーター駆動モーターによるシステム効率の向上により、ヒートポンプは幅広い気候で使用できるようになりました。リテルヒューズ (Littelfuse)の技術が熱ポンプをより安全に、より信頼性が高く、よりエネルギー効率の高いものにする方法をご覧ください。インバータ駆動モーターがシステム効率を向上させるため、幅広い気候条件の下で熱ポンプを使用できます。これらのコンポーネントは、エネルギー管理、セキュリティ・システム、HVACシステム、煙感知器、モノのインターネット（IoT）制御アプリケーションなどさまざまなアプリケーションに適しています。リテルヒューズ (Littelfuse)は、ビルの信頼性、安全性、エネルギー効率を向上させる保護、制御、センス技術を提供しています。

電気自動車DC高速充電器

Littelfuse電気自動車（EV）充電ソリューションには、オフボードDC高速充電器があります。Littelfuse EV充電ソリューションによって、設計者は、EV充電装置が機能的かつ安全であることを保証する最適なソリューションを選択できます。

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.