IXTP1R4N100P

IXYS
747-IXTP1R4N100P
IXTP1R4N100P

メーカ：

詳細：
MOSFET 1.4 Amps 1000V 11 Rds

データシート:
ECADモデル:
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在庫: 291

在庫：
291 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
32 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥652.5 ¥653
¥428.2 ¥4,282
¥311.3 ¥31,130
¥259.1 ¥129,550
¥251.2 ¥251,200

製品属性 属性値 属性の選択
IXYS
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
1 kV
1.4 A
11 Ohms
- 20 V, 20 V
2.5 V
17.8 nC
- 55 C
+ 150 C
63 W
Enhancement
Tube
ブランド: IXYS
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: KR
下降時間: 28 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 35 ns
シリーズ: IXTP1R4N100
工場パックの数量: 50
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 65 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 25 ns
単位重量: 2 g
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選択した属性: 0

データシート

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JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

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