IXTP3N100D2

Name: IXYS IXTP3N100D2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTP3N100D2
Price: 910 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

747-IXTP3N100D2

メーカ番号：

IXTP3N100D2

メーカ：

IXYS

詳細：

MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A

データシート:

IXTP3N100D2 データシート

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

IXYS IXTP3N100D2の詳細を読む

在庫: 60

在庫：: 60 すぐに出荷可能

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
工場リードタイム：: 32 週間表示されている時間を超える工場生産予定時間。

この製品はリードタイムが長いと報告されています。

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
	¥910.1	¥910
	¥551.4	¥5,514
	¥474	¥47,400

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	IXYS
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-220-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1 kV
Id - 連続ドレイン電流:	3 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	6 Ohms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4.5 V
Qg - ゲート電荷:	37.5 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	125 W
チャネルモード:	Depletion
パッケージ化:	Tube
ブランド:	IXYS
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	KR
製品タイプ:	MOSFETs
シリーズ:	IXTP3N100
工場パックの数量:	50
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
単位重量:	2 g

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

IXTP3N100D2 データシート

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

JPHTS:: 8542900006
CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541900000
CAHTS:: 8541900000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

スマートメータ計測ソリューション

Littelfuseスマートメータ計測ソリューションは、信頼性と安全性がさらに高いスマートメータを実装する設計者に貢献します。Littelfuseスマートメータ用ソリューションを活用すると設計者は、スマートメータ計測システムの主要な機能にモノのインターネット技術をもたらすことができます。

D2シリーズNチャンネル空乏モードパワーMOSFET

IXYS D2シリーズ100V-1700V Nチャンネル空乏モードパワーMOSFETは、「通常ON」モードで動作する空乏モードデバイスで、ゲート端子でゼロ電源ON電圧が必要です。このシリーズは、最高1700Vまでの阻止電圧とドレイン-ソース間抵抗を実現しており、連続的に「ON」になる（緊急または盗難警報器などの）システムでの簡素化された制御と電力散逸の低減を実現できます。