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AIMDQ75R007M2HXTMA1

Name: Infineon AIMDQ75R007M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-AIMDQ75R007M2HXT
Price: 5463 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

726-AIMDQ75R007M2HXT

メーカ番号：

AIMDQ75R007M2HXTMA1

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

SiC MOSFET CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK

ライフサイクル:

新製品:

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データシート:

AIMDQ75R007M2HXTMA1 データシート (PDF)

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数量	ユニット価格	合計額
	¥5,463.6	¥5,464
	¥4,471.4	¥44,714
	¥3,950	¥395,000
	¥3,931	¥1,965,500
完全リール（750の倍数で注文）
	¥3,924.7	¥2,943,525
2,250	見積り

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	PG-HDSOP-22
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	750 V
Id - 連続ドレイン電流:	220 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	9 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 7 V, + 23 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	5.6 V
Qg - ゲート電荷:	164 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	789 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	CoolSiC
ブランド:	Infineon Technologies
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	AT
下降時間:	10 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	78 S
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
製品:	SiC MOSFET
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	18 ns
シリーズ:	CoolSiC G2
工場パックの数量:	750
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	SiC
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
タイプ:	Automotive MOSFET
標準電源切断遅延時間:	40 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	17 ns
別の部品番号:	AIMDQ75R007M2H SP005982740

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データシート

AIMDQ75R007M2HXTMA1 データシート (PDF)

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ 車載用 750V G2 MOSFET

インフィニオン (Infineon) CoolSiC™ 車載用 750V G2 MOSFETは、トラクションインバータ、オンボードチャージャ（OBC）、高電圧DC/DCコンバータなどの電気自動車（EV）アプリケーションの厳しい要求を満たすように設計されています。これらの炭化ケイ素（SiC）MOSFETは、卓越した効率、電力密度、および熱性能を提供し、次世代のe-モビリティシステムを実現します。750Vの定格電圧と第2世代 CoolSiC™ 技術により、これらのデバイスは従来のシリコンソリューションと比較して、スイッチング動作を改善し、損失を低減します。この製品ポートフォリオは、RDS_(on)値の範囲が9mΩ〜78mΩまでのあり、設計者が導通性能とスイッチング性能を最適化するための柔軟性を提供します。