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AIMZA75R007M2HXKSA1

Name: Infineon AIMZA75R007M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-AIMZA75R007M2HXK
Price: 5659 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
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Mouser 番号：

726-AIMZA75R007M2HXK

メーカ番号：

AIMZA75R007M2HXKSA1

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

SiC MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V

ライフサイクル:

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データシート:

AIMZA75R007M2HXKSA1 データシート (PDF)

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	PG-TO-247-4
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	750 V
Id - 連続ドレイン電流:	172 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	9 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 11 V, + 25 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	5.6 V
Qg - ゲート電荷:	169 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	263 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	CoolSiC
ブランド:	Infineon Technologies
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	AT
下降時間:	10 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	78 S
パッケージ化:	Tube
製品:	Power MOSFET
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	18 ns
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	SiC
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
タイプ:	CoolSiC Automotive Power Device
標準電源切断遅延時間:	40 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	17 ns
別の部品番号:	AIMZA75R007M2H SP006113236

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データシート

AIMZA75R007M2HXKSA1 データシート (PDF)

ECCN:: EAR99

CoolSiC™ 車載用 750V G2 MOSFET

インフィニオン (Infineon) CoolSiC™ 車載用 750V G2 MOSFETは、トラクションインバータ、オンボードチャージャ（OBC）、高電圧DC/DCコンバータなどの電気自動車（EV）アプリケーションの厳しい要求を満たすように設計されています。これらの炭化ケイ素（SiC）MOSFETは、卓越した効率、電力密度、および熱性能を提供し、次世代のe-モビリティシステムを実現します。750Vの定格電圧と第2世代 CoolSiC™ 技術により、これらのデバイスは従来のシリコンソリューションと比較して、スイッチング動作を改善し、損失を低減します。この製品ポートフォリオは、RDS_(on)値の範囲が9mΩ〜78mΩまでのあり、設計者が導通性能とスイッチング性能を最適化するための柔軟性を提供します。