ブラウザのJavascriptが無効になっています。このページの機能の一部は、ログインしないと作動しません。

AIMZA75R033M2HXKSA1

Name: Infineon AIMZA75R033M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-AIMZA75R033M2HXK
Price: 2022 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

726-AIMZA75R033M2HXK

メーカ番号：

AIMZA75R033M2HXKSA1

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

SiC MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V

ライフサイクル:

新製品:

このメーカーの新製品

データシート:

AIMZA75R033M2HXKSA1 データシート (PDF)

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

Infineon Technologies AIMZA75R033M2HXKSA1の詳細を読む

在庫: 25

在庫：: 25 すぐに出荷可能

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
工場リードタイム：: 8 週間表示されている時間を超える工場生産予定時間。

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
	¥2,022.4	¥2,022
	¥1,583.2	¥15,832
	¥1,319.3	¥131,930
	¥1,175.5	¥587,750
	¥1,096.5	¥1,096,500

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	PG-TO-247-4
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	750 V
Id - 連続ドレイン電流:	47 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	41.3 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 7 V, + 23 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	5.6 V
Qg - ゲート電荷:	37 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	164 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	CoolSiC
ブランド:	Infineon Technologies
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	AT
下降時間:	7 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	16 S
パッケージ化:	Tube
製品:	Power MOSFET
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	8 ns
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	SiC
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
タイプ:	CoolSiC Automotive Power Device
標準電源切断遅延時間:	17 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	9 ns
別の部品番号:	AIMZA75R033M2H SP006113276

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

AIMZA75R033M2HXKSA1 データシート (PDF)

ECCN:: EAR99

CoolSiC™ 車載用 750V G2 MOSFET

インフィニオン (Infineon) CoolSiC™ 車載用 750V G2 MOSFETは、トラクションインバータ、オンボードチャージャ（OBC）、高電圧DC/DCコンバータなどの電気自動車（EV）アプリケーションの厳しい要求を満たすように設計されています。これらの炭化ケイ素（SiC）MOSFETは、卓越した効率、電力密度、および熱性能を提供し、次世代のe-モビリティシステムを実現します。750Vの定格電圧と第2世代 CoolSiC™ 技術により、これらのデバイスは従来のシリコンソリューションと比較して、スイッチング動作を改善し、損失を低減します。この製品ポートフォリオは、RDS_(on)値の範囲が9mΩ〜78mΩまでのあり、設計者が導通性能とスイッチング性能を最適化するための柔軟性を提供します。