IMBG75R060M2HXTMA1

Infineon Technologies
726-IMBG75R060M2HXTM
IMBG75R060M2HXTMA1

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2

ライフサイクル:
新製品:
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データシート:
ECADモデル:
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¥-
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EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,148.7 ¥1,149
¥857.9 ¥8,579
¥693.6 ¥69,360
¥620.9 ¥310,450
完全リール（1000の倍数で注文）
¥545.1 ¥545,100

製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
750 V
29 A
78 mOhms
- 7 V, 23 V
5.6 V
20 nC
- 55 C
+ 175 C
116 W
Enhancement
CoolSiC
ブランド: Infineon Technologies
構成: Single
組立国: MY
拡散国: Not Available
原産国: AT
下降時間: 5 ns
パッケージ化: Reel
パッケージ化: Cut Tape
製品: SiC MOSFET
製品タイプ: SiC MOSFETS
上昇時間: 5 ns
シリーズ: CoolSiC G2
工場パックの数量: 1000
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 15 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 7 ns
別の部品番号: IMBG75R060M2H SP006098927
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選択した属性: 0

データシート

JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

CoolSiC™ 750V G2シリコンカーバイドMOSFET

Infineon Technologies CoolSiC™ 750V G2 シリコンカーバイドMOSFETは、寄生ターンオン効果に対する最高レベルの耐性と堅牢性、ユニポーラゲート駆動への対応、高信頼性を提供するように設計されています。これらのMOSFETは、トーテムポール、ANPC、ウィーン整流器、FCCなどのハードスイッチングトポロジで優れた性能を実現します。 さらに、出力容量 (Coss) が大幅に削減されたことにより、サイクロコンバータ、CLLC、DAB、LLCなどのソフトスイッチングトポロジにおいてMOSFETを高いスイッチング周波数で動作できるようになりました。CoolSiC™ 750V G2 MOSFETは、最大ドレイン・ソース間オン抵抗78mΩ、ゲート制御の改善による低スイッチング損失が特長です。これらのMOSFETは、車載用および産業用認定済みです。代表的なアプリケーションには、EV充電インフラ、テレコム、サーキットブレーカ、ソリッドステートリレー、太陽光PVインバータ、HV-LV DC/DCコンバータなどがあります。

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