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IMT65R033M2HXUMA1

Name: Infineon IMT65R033M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMT65R033M2HXUMA
Price: 1489 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

726-IMT65R033M2HXUMA

メーカ番号：

IMT65R033M2HXUMA1

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

ライフサイクル:

新製品:

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データシート:

IMT65R033M2HXUMA1 データシート (PDF)

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在庫: 918

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	¥998.6	¥9,986
	¥846.9	¥84,690
	¥843.7	¥421,850
	¥815.3	¥815,300
完全リール（2000の倍数で注文）
	¥786.8	¥1,573,600

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	HSOF-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	650 V
Id - 連続ドレイン電流:	68 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	41 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 7 V, + 23 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	5.6 V
Qg - ゲート電荷:	34 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	312 W
チャネルモード:	Enhancement
ブランド:	Infineon Technologies
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	AT
下降時間:	4.8 ns
水分感度:	Yes
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
製品:	SiC MOSFETS
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	9.1 ns
工場パックの数量:	2000
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	SiC
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	15 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	8.8 ns

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データシート

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JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ 650V G2炭化ケイ素MOSFET

インフィニオン (Infineon) CoolSiC™ 650V G2 炭化ケイ素MOSFETは、エネルギー損失の低減を可能にすることで炭化ケイ素の持つ性能を最大限に引き出し、電力変換時のさらなる高効率を実現します。Infineon CoolSiC 650V G2 MOSFETは、太陽光発電、エネルギー蓄電システム、EV用DC充電、モータドライブ、産業用電源など、さまざまなパワー半導体アプリケーションにメリットをもたらします。CoolSiC G2を搭載した電気自動車用DC急速充電ステーションは、フォームファクタを維持したまま、前世代比で最大10%の電力損失削減と、より高い充電容量を可能にします。