ブラウザのJavascriptが無効になっています。このページの機能の一部は、ログインしないと作動しません。

IPA60R080P7XKSA1

Name: Infineon IPA60R080P7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPA60R080P7XKSA1
Price: 775 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

726-IPA60R080P7XKSA1

メーカ番号：

IPA60R080P7XKSA1

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

MOSFET HIGH POWER_NEW

データシート:

IPA60R080P7XKSA1 データシート (PDF)

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

Infineon Technologies IPA60R080P7XKSA1の詳細を読む

在庫: 2,323

在庫：: 2,323

すぐに出荷可能

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
取寄中:: 1,500
工場リードタイム：: 8

週間表示されている時間を超える工場生産予定時間。

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
	¥775.8	¥776
	¥404.5	¥4,045
	¥368.1	¥36,810
	¥365	¥182,500
	¥352.3	¥352,300
	¥336.5	¥841,250

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-220-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	600 V
Id - 連続ドレイン電流:	37 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	69 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3 V
Qg - ゲート電荷:	51 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	29 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	CoolMOS
パッケージ化:	Tube
ブランド:	Infineon Technologies
構成:	Single
組立国:	CN
拡散国:	Not Available
原産国:	DE
下降時間:	5 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	10 ns
シリーズ:	CoolMOS P7
工場パックの数量:	500
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	70 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	15 ns
別の部品番号:	IPA60R080P7 SP001658398
単位重量:	2 g

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

IPA60R080P7XKSA1 データシート (PDF)

Application Notes

Product Catalogs

SPICE Models

MOSFET CoolMOS™ P7 600V PSpice (Zip)

Technical Resources

Bill of Material Evaluation Board 2kW ZVS FB CFD2 (スプレッドシート)

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

CoolMOS™ P7 MOSFET

Infineon Technologies CoolMOS™ P7 MOSFETは、使い勝手の良さに優れたベストインクラスの価格/性能比を実現しており、さまざまなアプリケーションの課題に対処できます。700Vおよび800V CoolMOS P7パワーMOSFETは、アダプタや充電器、照明、オーディオ用スイッチング電源、補助電源、産業用電源など、フライバックベースの低消費電力SMPSアプリケーション用に開発されました。600V CoolMOS P7パワーMOSFETは、低消費電力だけでなくソーラーインバータ、サーバ、テレコム、EV充電スタンドといったハイパワーSMPSアプリケーションをターゲットにしています。P7 MOSFETは、ハードスイッチングとソフトスイッチング・トポロジ向けに完全に最適化されています。

パワーの違いを体験する

インフィニオンは、パワー半導体市場のリーダーです。20年以上の経験を持ち、画期的なCoolMOS™ スーパージャンクションMOSFETテクノロジーの革新者であるInfineonは、電源管理分野での先駆者としての地位を維持しています。お客様は、業界で最も幅広いシリコンベースのSJ MOSFETポートフォリオから、個々の設計およびシステム要件に応じて選択できます。主要な3つの電源テクノロジーをすべて網羅している数少ないメーカーの一つとして、Infineonは革新的なワイドバンドギャップ（WBG）製品をこのポートフォリオに追加しています。この製品には、炭化ケイ素ベースのCoolSiC™ MOSFET、対応するダイオード、および窒化ガリウムベースのCoolGaN™ e-mode HEMTが含まれています。優れたコストパフォーマンスから比類のない堅牢性、そして最高クラスのデバイスまで、さまざまなソリューションが提供されています。これにより、顧客はより効率的で環境に優しく、持続可能なアプリケーションを構築できます。

600V CoolMOS P7パワートランジスタ

Infineon 600V CoolMOS P7パワートランジスタは第7世代デバイスで、高電圧パワーMOSFET向けの革命的な技術が活用されています。このトランジスタは、スーパージャンクション（SJ）の原理に従って設計され、Infineon Technologiesによって開発されています。600V CoolMOS P7には、高速スイッチングSJ MOSFETのメリットと、優れた使い勝手が組み合わされています。600V P7は、非常に低いリンギング傾向、硬質転流に対するボディダイオードの優れた堅牢性と優れたESD性能が特徴です。スイッチング損失と導通損失が極端に低いため、スイッチングアプリケーションの効率、コンパクト、軽量、低冷却性がさらに向上します。
詳細

CoolMOS™スーパージャンクションMOSFET

Infineon CoolMOS™ パワートランジスタは、高速スイッチングSJ MOSFETの全メリットを実現しています。CoolMOS 7の導入により、Infineonは、価格、性能、品質の基準を引き続き設定しています。

CoolMOS™7スーパージャンクションMOSFET

Infineon Technologies CoolMOS™ 7 スーパージャンクションMOSFETは、エネルギー効率、電力密度、使いやすさのための新基準を設定します。CoolMOS 7技術は、特定のアプリケーション向けに最適化されており、革新的なパッケージ概念とさまざまな技術が搭載されています。CoolMOS 7 MOSFETは、電気自動車の充電ステーションを、より高い出力でさらなる小型化を実現し、自動車充電の高速化を図る際に適しています。CoolMOS 7のおかげで、新世代のアダプタと充電器は、さらなる小型化、軽量、効率性を実現しています。CoolMOS 7を使用するとエンジニアは、再生可能エネルギーシステムを安価で効率的にできます。

USB-C充電器およびアダプタ

Infineon Technologiesは、価格性能比と（極めて）高い電力密度のバランスなど、お客様のプライオリティを考慮したテーラーメイドの半導体を提供します。ポートフォリオは、HV/LVパワースイッチからPWMコントローラ、電力供給用のUSB-Cコントローラ、ESD保護デバイスまで、USB-C™ 電源製品チェーン全体で構成されています。