IPDD60R180CM8XTMA1

Infineon Technologies
726-IPDD60R180CM8XTM
IPDD60R180CM8XTMA1

メーカ：

詳細：
MOSFET HIGH POWER_NEW

ライフサイクル:
Mouser 初
データシート:
ECADモデル:
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¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥478.7 ¥479
¥309.7 ¥3,097
¥213.3 ¥21,330
¥172.2 ¥86,100
完全リール（1700の倍数で注文）
¥143.5 ¥243,950

製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
HDSOP-10
N-Channel
1 Channel
600 V
21 A
180 mOhms
- 20 V, 20 V
4.7 V
17 nC
- 55 C
+ 150 C
169 W
Enhancement
CoolMOS
Reel
Cut Tape
ブランド: Infineon Technologies
構成: Single
組立国: MY
拡散国: DE
原産国: DE
下降時間: 12.8 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 6 ns
シリーズ: 600V CM8
工場パックの数量: 1700
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 88.4 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 17.2 ns
別の部品番号: IPDD60R180CM8 SP005578049
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選択した属性: 0

データシート

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JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

CoolMOS™ 8 SJ MOSFET

Infineon Technologies CoolMOS™ 8SJ MOSFETは、高電圧スーパージャンクションMOSFET技術ソリューションです。Infineon Technologies CoolMOS 8には、統合高速ボディダイオードがあり、さまざまなアプリケーションに最適です。CoolMOS 8は、600V CoolMOS 7 MOSFETファミリの後継者としてのInfineonワイドバンドギャップ(WBG) ポートフォリオを強化します。

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