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IPLT60R055CM8XTMA1

Name: Infineon IPLT60R055CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPLT60R055CM8XTM
Price: 1019 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
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Mouser 番号：

726-IPLT60R055CM8XTM

メーカ番号：

IPLT60R055CM8XTMA1

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

MOSFET 600 V CoolMOS 8 Power Transistor

ライフサイクル:

新製品:

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データシート:

IPLT60R055CM8XTMA1 データシート (PDF)

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	¥491.4	¥49,140
	¥436.1	¥218,050
	¥385.5	¥385,500

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	MOSFET
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	PG-HDSOP-16
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	650 V
Id - 連続ドレイン電流:	48 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	55 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4.7 V
Qg - ゲート電荷:	51 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	278 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	CoolMOS
ブランド:	Infineon Technologies
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	DE
下降時間:	7 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	6 ns
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	98 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	19 ns
別の部品番号:	IPLT60R055CM8 SP006162000

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データシート

IPLT60R055CM8XTMA1 データシート (PDF)

TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

CoolMOS™ 8 SJ MOSFET

Infineon Technologies CoolMOS™ 8SJ MOSFETは、高電圧スーパージャンクションMOSFET技術ソリューションです。Infineon Technologies CoolMOS 8には、統合高速ボディダイオードがあり、さまざまなアプリケーションに最適です。CoolMOS 8は、600V CoolMOS 7 MOSFETファミリの後継者としてのInfineonワイドバンドギャップ(WBG) ポートフォリオを強化します。