IPT60R180CM8XTMA1

Infineon Technologies
726-IPT60R180CM8XTMA
IPT60R180CM8XTMA1

メーカ：

詳細：
MOSFET 600VCoolMOSCM8PowerTransistor

ライフサイクル:
Mouser 初
データシート:
ECADモデル:
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在庫: 2,700

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取寄中:
1,990
工場リードタイム：
8
週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（2000の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥398.2 ¥398
¥254.4 ¥2,544
¥184.9 ¥18,490
¥153.9 ¥76,950
¥144.7 ¥144,700
完全リール（2000の倍数で注文）
¥140.6 ¥281,200
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
HSOF-8
N-Channel
1 Channel
600 V
18 A
180 mOhms
- 20 V, 20 V
4.7 V
17 nC
- 55 C
+ 150 C
119 W
Enhancement
CoolMOS
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: Infineon Technologies
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: AT
下降時間: 12.8 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 6 ns
シリーズ: 600V CM8
工場パックの数量: 2000
サブカテゴリ: Transistors
標準電源切断遅延時間: 88.4 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 17.2 ns
別の部品番号: IPT60R180CM8 SP005578053
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選択した属性: 0

データシート

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JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

CoolMOS™ 8 SJ MOSFET

Infineon Technologies CoolMOS™ 8SJ MOSFETは、高電圧スーパージャンクションMOSFET技術ソリューションです。Infineon Technologies CoolMOS 8には、統合高速ボディダイオードがあり、さまざまなアプリケーションに最適です。CoolMOS 8は、600V CoolMOS 7 MOSFETファミリの後継者としてのInfineonワイドバンドギャップ(WBG) ポートフォリオを強化します。

CoolMOS™ C7 Gold (G7) パワーMOSFET

Infineon Technologies CoolMOS™ G7 Gold（G7）パワーMOSFETは、新しいSMD TO-Leadless（TOLL）パッケージに格納されており、Kelvinソースのコンセプトが採用されています。G7 MOSFETには、改善された600V / 650V CoolMOS™ G7技術、4ピンKelvinソース機能、TO-リードレスパッケージの改善された熱特性が組み合わされています。これによってSMDソリューションは、最大3kWの力率補正（PFC）のような大電流ハードスイッチングトポロジを対象とすることができます。600V CoolMOS™G7では、MOSFETはハイエンドLLCのような共振回路に使用できます。

CoolMOS™パワートランジスタ

Infineon CoolMOS™パワートランジスタは、Infineon Technologiesがスーパージャンクション（SJ）原理に基づき開発した、高電圧パワーMOSFET向けの革命的なCoolMOS™技術を採用しています。CoolMOS™ C6 およびE6パワートランジスタ・シリーズには、スーパージャンクションMOSFETのリーディングメーカーの実績と高度なイノベーションが統合されています。その成果として完成したデバイスは、使いやすさを損なわずに高速スイッチングSJ MOSFETのあらゆる利点を提供します。スイッチング損失と導通損失が極端に低いため、スイッチングアプリケーションの効率、コンパクト、軽量、低冷却性がさらに向上します。
詳細情報

Infineon Technologiesは、スーパージャンクション（SJ）原理に基づき開発された高電圧パワーMOSFET向けの革命的技術を採用した、CoolMOS® パワートランジスタのシリーズを拡張しました。これらのCoolMOS® パワートランジスタは、極めて高速で堅牢なボディダイオードを提供しながら、高速スイッチングスーパージャンクションMOSFETのあらゆる利点を提供します。Infineon Technologies CoolMOS®パワートランジスタは、PC Silverbox、液晶テレビ、照明、サーバ、および通信アプリケーション向けの共振スイッチングPWMステージに特に適しています。
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