IPWS65R050CFD7AXKSA1

Infineon Technologies
726-IPWS65R050CFD7AX
IPWS65R050CFD7AXKSA1

メーカ：

詳細：
MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS

データシート:
ECADモデル:
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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,652.7 ¥1,653
¥1,202.4 ¥12,024
¥1,001.7 ¥100,170
¥892.7 ¥428,496
¥834.2 ¥1,001,040

製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
N-Channel
1 Channel
650 V
45 A
50 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
102 nC
- 40 C
+ 150 C
227 W
Enhancement
AEC-Q101
CoolMOS
Tube
ブランド: Infineon Technologies
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: CN
製品タイプ: MOSFETs
シリーズ: CoolMOS CFD7A
工場パックの数量: 240
サブカテゴリ: Transistors
別の部品番号: IPWS65R050CFD7A SP005405805
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選択した属性: 0

データシート

Product Catalogs

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

650V CoolMOS™ CFD7A SJパワーMOSFET

Infineon Technologies  650V CoolMOS™ CFD7A SJパワーMOSFETは、車載充電器、高電圧-低電圧DC-DCコンバータ、および補助電源などの電気自動車アプリケーション向けに設計されています。改良された宇宙放射線の耐性により、CoolMOS CFD7A SJパワーMOSFETは、従来の世代や他の市場製品と同等の信頼性を保ちながら、より高いバッテリ電圧に対応できます。CoolMOS CFD7A SJパワーMOSFETは、ハードおよび共振スイッチングトポロジーの両方で、高効率を確保し、特に軽負荷条件下での性能を発揮します。旧世代と同等のゲート損失レベルでさらに高いスイッチング周波数を達成しています。システムの重量削減と小型化により、よりコンパクトな設計が可能になります。

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