ブラウザのJavascriptが無効になっています。このページの機能の一部は、ログインしないと作動しません。

ISC037N12NM6ATMA1

Name: Infineon ISC037N12NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC037N12NM6ATMA
Price: 692 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

726-ISC037N12NM6ATMA

メーカ番号：

ISC037N12NM6ATMA1

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

MOSFET IFX FET >100-150V

データシート:

ISC037N12NM6ATMA1 データシート (PDF)

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

Infineon Technologies ISC037N12NM6ATMA1の詳細を読む

在庫: 14,720

在庫：: 14,720

すぐに出荷可能

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
取寄中:: 5,000
工場リードタイム：: 15

週間表示されている時間を超える工場生産予定時間。

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
	¥692	¥692
	¥456.6	¥4,566
	¥325.5	¥32,550
	¥298.6	¥149,300
	¥290.7	¥290,700
	¥289.1	¥722,750
完全リール（5000の倍数で注文）
	¥259.1	¥1,295,500

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	TDSON-8FL
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	120 V
Id - 連続ドレイン電流:	163 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	3.7 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3.6 V
Qg - ゲート電荷:	46 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	214 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	OptiMOS
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	Infineon Technologies
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	DE
下降時間:	7.2 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	47 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	5.6 ns
工場パックの数量:	5000
サブカテゴリ:	Transistors
標準電源切断遅延時間:	17 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	12 ns
別の部品番号:	ISC037N12NM6 SP005434366

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

ISC037N12NM6ATMA1 データシート (PDF)

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

OptiMOS™ 6パワーMOSFET

Infineon Technologies OptiMOS™6パワーMOSFETは、次世代の最先端のイノベーション、およびベストインクラスの性能を備えています。OptiMOS 6ファミリには、性能の大幅なメリットを実現できる薄型ウェハ技術が活用されています。代替製品と比較すると、OptiMOS 6パワーMOSFETは、30%のR_DS（ON）を削減しており、同期整流用に最適化されています。