GTRA384802FC-V1-R0

MACOM
941-GTRA384802FCV1R0
GTRA384802FC-V1-R0

メーカ：

詳細：
GaN FET 480W GaN HEMT 48V 3800MHz

データシート:
ECADモデル:
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価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥47,400 ¥47,400
¥36,316.3 ¥363,163
完全リール（50の倍数で注文）
¥36,316.3 ¥1,815,815
100 見積り
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
MACOM
製品カテゴリー: GaN FET
配送アラート:
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RoHS:  
Screw Mount
H-37248C-4
N-Channel
125 V
9.5 A
+ 225 C
ブランド: MACOM
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: US
ゲイン: 13 dB
最高動作周波数: 3.8 GHz
最小動作周波数: 3.6 GHz
出力電力: 400 W
パッケージ化: Reel
パッケージ化: Cut Tape
パッケージ化: MouseReel
製品タイプ: GaN FETs
工場パックの数量: 50
サブカテゴリ: Transistors
技術: GaN
トランジスタ タイプ: GaN HEMT
Vgs - ゲート - ソース間破壊電圧: - 10 V to 2 V
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選択した属性: 0

データシート

PCN

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USHTS:
8541290055
ECCN:
3A001.b.3.a.4

5G RF JFETとLDMOS FET

MACOM 5G RF JFET (Junction Field Effect Transistors、接合型電界効果トランジスタ) およびLDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide Semiconductor、横方向拡散金属酸化膜半導体) FETは、次世代ワイヤレス伝送向けの熱特性が強化されたハイパワートランジスタです。これらのデバイスは、GaN on SiC高電子移動度トランジスタ (HEMT) テクノロジー、入力マッチング、高効率、熱的に強化された表面実装パッケージが特徴で、耳なしフランジが備わっています。MACOM 5G RF JFETおよびLDMOS FETは、マルチスタンダードセルラーパワーアンプ・アプリケーションに最適です。 

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