MSC025SMA120B4N

Microchip Technology
579-MSC025SMA120B4N
MSC025SMA120B4N

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4 Notch

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¥4,281.8 ¥128,454
¥3,725.6 ¥447,072

製品属性 属性値 属性の選択
Microchip
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
113 A
31 mOhms
- 10 V, + 23 V
5 V
232 nC
- 55 C
+ 175 C
577 W
Enhancement
ブランド: Microchip Technology
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: CN
下降時間: 16 ns
パッケージ化: Tube
製品タイプ: SiC MOSFETS
上昇時間: 23 ns
工場パックの数量: 30
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 39 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 17 ns
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選択した属性: 0

データシート

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JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

シリコンカーバイド（SiC）MOSFET

Microsemi / Microchipシリコンカーバイド（SiC）MOSFETには、従来のシリコン（Si）パワーMOSFETより優れたダイナミックおよび熱性能が備わっています。これらのMOSFETは、低静電容量、低ゲート電荷、高速スイッチング速度、優れたアバランシェ耐久性を備えています。SiC MOSFETは、175°Cの高接合温度で安定した動作が可能です。これらのMOSFETは、低スイッチング損失での高効率を実現しています。SiC MOSFETには、フリーホイールダイオードは一切不要で、システムコストを削減できます。代表的なアプリケーションには、スマートグリッド伝達と分配、誘導加熱と溶接、電源、さらに分配があります。

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