MSC025SMA120B

Microchip Technology
494-MSC025SMA120B
MSC025SMA120B

メーカ：

詳細：
SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247
開発ツールセレクタで表示

データシート:
ECADモデル:
無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について
詳細を表示
Microchip Technology MSC025SMA120Bの詳細を読む
マウサーは現在お客様の地域でこの製品を販売しておりません。

在庫状況

在庫：

製品属性 属性値 属性の選択
Microchip
製品カテゴリー: SiC MOSFET
配送制限
 マウサーは現在お客様の地域でこの製品を販売しておりません。
RoHS:  
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
113 A
31 mOhms
- 10 V, + 23 V
1.9 V
232 nC
- 55 C
+ 175 C
577 W
Enhancement
ブランド: Microchip Technology
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: PH
下降時間: 25 ns
パッケージ化: Tube
製品タイプ: SiC MOSFETS
上昇時間: 15 ns
工場パックの数量: 30
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
標準電源切断遅延時間: 38 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 63 ns
単位重量: 6 g
製品が見つかりました:
類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します
このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。
選択した属性: 0

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

シリコンカーバイド（SiC）半導体

Microchip Technologyのシリコンカーバイド（SiC）半導体は、産業、医療、軍事/航空宇宙、航空、通信の市場セグメントをカバーする製品において、システム効率の向上、フォームファクタの小型化、動作温度の向上を目指すパワーエレクトロニクス設計者にとって革新的な選択肢です。Microchipの次世代SiC MOSFET、およびSiCショットキーバリアダイオード（SBD）は、高い繰り返し非クランプ誘導スイッチング（UIS）能力を持つように設計されており、同社のSiC MOSFETは、約10J/cm2 ～15J/cm2 で高いUIS能力を維持し、3ms～5msで堅牢な短絡保護を実現しています。Microchip TechnologyのSiC SBDは、スイッチング損失を低減するために、低逆電流でサージ電流、順電圧、熱抵抗、および熱静電容量の定格がバランスするように設計されています。また、SiC MOSFETとSiC SBDを組み合わせてモジュール化することも可能です。

シリコンカーバイド（SiC）MOSFET

Microsemi / Microchipシリコンカーバイド（SiC）MOSFETには、従来のシリコン（Si）パワーMOSFETより優れたダイナミックおよび熱性能が備わっています。これらのMOSFETは、低静電容量、低ゲート電荷、高速スイッチング速度、優れたアバランシェ耐久性を備えています。SiC MOSFETは、175°Cの高接合温度で安定した動作が可能です。これらのMOSFETは、低スイッチング損失での高効率を実現しています。SiC MOSFETには、フリーホイールダイオードは一切不要で、システムコストを削減できます。代表的なアプリケーションには、スマートグリッド伝達と分配、誘導加熱と溶接、電源、さらに分配があります。

予期しないエラーが発生しました。


質問がありますか？ Help Centre(ヘルプ・センター) にアクセスしてください。
特定の注文に関する質問がある場合は、 your account(あなたのアカウント) にログインしてください。

さらに問題が発生した場合は、800-346-6873にお問い合わせいただくか、 help@mouser.com に電子メールを送ってください。