MSC035SMA070B4

Microchip Technology
494-MSC035SMA070B4
MSC035SMA070B4

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET FG, SIC MOSFET, TO-247 4-LEAD
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,622.7 ¥1,623
¥1,583.2 ¥15,832
¥1,354.1 ¥40,623
¥1,317.7 ¥158,124

製品属性 属性値 属性の選択
Microchip
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
700 V
77 A
44 mOhms
- 10 V, + 23 V
1.9 V
99 nC
- 55 C
+ 175 C
283 W
Enhancement
ブランド: Microchip Technology
構成: Single
組立国: US
拡散国: US
原産国: PH
下降時間: 52 ns
パッケージ化: Tube
製品タイプ: SiC MOSFETS
上昇時間: 9 ns
工場パックの数量: 30
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
標準電源切断遅延時間: 40 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 10 ns
単位重量: 6 g
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選択した属性: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

SiCショットキーバリアダイオード

Microsemi / Microchip SiCショットキーバリアダイオード（SBD）には、従来のシリコンパワーダイオードよりダイナミック性能と熱性能が備わっています。SiC（シリコンカーバイド）バリアダイオードは、シリコン（Si）と炭素（C）で構成されています。シリコン専用デバイスに比べてSiCデバイスには、はるかに高い絶縁破壊電界強度、より高いバンドギャップ、より高い熱伝導率が備わっています。SiCショットキーダイオードは、ゼロ順方向と逆回復電荷が特徴で、ダイオードスイッチング損失を削減します。また、これらのデバイスには、温度個別スイッチングが備わっており、安定的な高温度性能が確保されます。

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