MSC080SMA120B4

Microchip Technology
494-MSC080SMA120B4
MSC080SMA120B4

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4
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在庫: 110

在庫：
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工場リードタイム：
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,459.9 ¥1,460
¥1,346.2 ¥40,386
¥1,170.8 ¥140,496

製品属性 属性値 属性の選択
Microchip
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
37 A
80 mOhms
- 10 V, + 23 V
2.8 V
64 nC
- 55 C
+ 175 C
200 W
Enhancement
ブランド: Microchip Technology
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: PH
パッケージ化: Tube
製品タイプ: SiC MOSFETS
工場パックの数量: 30
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
単位重量: 6 g
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選択した属性: 0

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JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SiCショットキーバリアダイオード

Microsemi / Microchip SiCショットキーバリアダイオード（SBD）には、従来のシリコンパワーダイオードよりダイナミック性能と熱性能が備わっています。SiC（シリコンカーバイド）バリアダイオードは、シリコン（Si）と炭素（C）で構成されています。シリコン専用デバイスに比べてSiCデバイスには、はるかに高い絶縁破壊電界強度、より高いバンドギャップ、より高い熱伝導率が備わっています。SiCショットキーダイオードは、ゼロ順方向と逆回復電荷が特徴で、ダイオードスイッチング損失を削減します。また、これらのデバイスには、温度個別スイッチングが備わっており、安定的な高温度性能が確保されます。

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