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L6398DTR

Name: STMicroelectronics L6398DTR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-L6398DTR
Price: 541 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

511-L6398DTR

メーカ番号：

L6398DTR

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

ゲートドライバ 600V 290 mA Source 430 mA sink BCD

あなたの設計を完成させましょう

データシート:

L6398DTR データシート (PDF)

ECADモデル:

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在庫: 6,456

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¥-

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パッケージング:

完全リール（2500の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥541.9	¥542
	¥409.2	¥4,092
	¥374.5	¥9,363
	¥338.1	¥33,810
	¥320.7	¥80,175
	¥309.7	¥154,850
	¥300.2	¥300,200
完全リール（2500の倍数で注文）
	¥282.8	¥707,000
	¥276.5	¥1,382,500

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

他のパッケージ

メーカ部品番号:

L6398D

梱包:

Tube

在庫状況:

在庫

価格:

¥303

最低:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	ゲートドライバ
RoHS:
製品:	Half-Bridge Drivers
タイプ:	High-Side, Low-Side
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	SOIC-8
ドライバ数:	2 Driver
出力数:	2 Output
出力電流:	430 mA
供給電圧 - 最小:	10 V
供給電圧 - 最大:	20 V
上昇時間:	75 ns
下降時間:	35 ns
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 125 C
シリーズ:	L6398
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	STMicroelectronics
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	SG
最長電源切断遅延時間:	200 ns
最長電源投入遅延時間:	200 ns
水分感度:	Yes
動作供給電流:	90 uA
出力電圧:	- 11 V to 580 V
Pd - 電力損失:	800 mW
製品タイプ:	Gate Drivers
工場パックの数量:	2500
サブカテゴリ:	PMIC - Power Management ICs
技術:	Si
単位重量:	124.600 mg

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選択した属性: 0

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データシート

L6398DTR データシート (PDF)

PCN

JPHTS:: 8542390990
CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

モータドライバ

STMicroelectronicsモータ・ドライバは、ブラシ付DCモータ・ステッパ・モータおよびブラシレスDCモータの要件をカバーしている広範なモータ・ドライバです。ドライバは、広範な電圧および電流定格で販売されています。STSPINモータドライバには、モータを効率的に駆動するために必要なすべての機能が組み込まれています。これは、高精度で達成され、高度なモーション特性ジェネレータが含まれています。

MOSFET & IGBTゲート・ドライバ

STMicroelectronics MOSFET & IGBTゲート・ドライバは、工業、民生、コンピュータ、自動車アプリケーションを対象としたディスクリート・デバイスのポートフォリオです。このポートフォリオは、シングルからハーフブリッジ、および複数のチャンネル・ドライバを網羅しています。このドライバは、低または高電圧（最高1500V）アプリケーションのどちらかに定格されています。また、STは、安全と機能要件のためのガルバニック絶縁ゲート・ドライバICも取り揃えています。システムインパッケージ（SiP）ソリューションには、ハイサイドおよびローサイド・ゲート・ドライバとMOSFETベースの電力段が統合されています。これによってこれらは、さらなる高レベルの統合およびと低開発コストによる産業市場に最適です。