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M2TP80M12W2-2LA

Name: STMicroelectronics M2TP80M12W2-2LA
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-M2TP80M12W2-2LA
Price: 7776 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

511-M2TP80M12W2-2LA

メーカ番号：

M2TP80M12W2-2LA

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

MOSFETモジュール Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 3-phase four wire PFC topology, 1200 V, 84 mOhm typ. SiC Power MOSFET with rectifier diode and NTC

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	MOSFETモジュール
RoHS:
取り付け様式:	Press Fit
チャンネル数:	6 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Id - 連続ドレイン電流:	30 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	114 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	5 V
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 175 C
パッケージ化:	Tube
ブランド:	STMicroelectronics
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	CN
高さ:	5.7 mm
長さ:	44 mm
製品:	Power Modules
製品タイプ:	MOSFET Modules
認証:	AQG 324
工場パックの数量:	11
サブカテゴリ:	Discrete and Power Modules
Vf - 順電圧（Forward Voltage）:	1.1 V
幅:	27.4 mm
単位重量:	13 g

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CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

M2TP80M12W2-2LA車載用パワーモジュール

ＳＴマイクロエレクトロニクス（STMicroelectronics）M2TP80M12W2-2LA車載用パワーモジュールには、三相4線式PFCトポロジが備わっており、ハイブリッドと電気自動車のOBCのPFC段向けにカスタマイズされています。パワーモジュールには、6基の第2世代シリコンカーバイドパワーMOSFETが統合されています。このチップ技術によって、ＳＴマイクロエレクトロニクス（STMicroelectronics）M2TP80M12W2-2LAはエネルギー損失を最小限に抑え、高スイッチング周波数モードでの動作が可能になります。このモジュールを使用するとユーザーは、非常に高い電力密度と高効率要件で複雑なトポロジを作成できます。