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SCT070HU120G3AG

Name: STMicroelectronics SCT070HU120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT070HU120G3AG
Price: 2150 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

511-SCT070HU120G3AG

メーカ番号：

SCT070HU120G3AG

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

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SCT070HU120G3AG データシート (PDF)

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	¥2,150.4	¥2,150
	¥1,471	¥14,710
	¥1,317.7	¥131,770
完全リール（600の倍数で注文）
	¥1,248.2	¥748,920

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	HU3PAK-7
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Id - 連続ドレイン電流:	30 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	87 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 18 V, + 18 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4.2 V
Qg - ゲート電荷:	37 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	223 W
チャネルモード:	Enhancement
認証:	AEC-Q101
ブランド:	STMicroelectronics
構成:	Single
組立国:	JP
拡散国:	Not Available
原産国:	JP
下降時間:	9.9 ns
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	26.6 ns
工場パックの数量:	600
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	SiC
標準電源切断遅延時間:	17.6 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	18.7 ns

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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