STB24N60M6

STMicroelectronics
511-STB24N60M6
STB24N60M6

メーカ:

詳細:
MOSFET N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package

ECADモデル:
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在庫: 1,580

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工場リードタイム:
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥556.2 ¥556
¥365 ¥3,650
¥254.4 ¥25,440
¥221.2 ¥110,600
完全リール(1000の倍数で注文)
¥219.6 ¥219,600
¥207 ¥414,000

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
22 A
190 mOhms
- 25 V, 25 V
3.25 V
23 nC
- 55 C
+ 150 C
130 W
Enhancement
MDmesh
Reel
Cut Tape
ブランド: STMicroelectronics
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: CN
製品タイプ: MOSFETs
シリーズ: Mdmesh M6
工場パックの数量: 1000
サブカテゴリ: Transistors
単位重量: 1.380 g
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選択した属性: 0

JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MDmesh™ M6 MOSFET

STMicroelectronics MDmesh™ M6 MOSFETには、低ゲート電荷(Qg)と最適化された容量特性が組み合わされており、電力変換アプリケーションにおける新しいトポロジでの高い効率性を目的としています。スーパージャンクションMDmesh™ M6シリーズには、効率性が極めて高い性能が備わっており、電力密度の増大と低ゲート電荷がもたらされており、高周波数を目的としています。M6シリーズMOSFETには、600~700Vの破壊電圧範囲が備わっています。また、TOリードレス (TO-LL) パッケージ・ソリューションを始めとする広範なパッケージ・オプションがあり、効率的な熱管理が可能になります。このデバイスには、広範な動作電圧が備わっており、充電器、アダプタ、シルバー・ボックス・モジュール、LED照明、テレコム、サーバ、ソーラーを始めとする工業アプリケーションを対象としています。