STD105N10F7AG

STMicroelectronics
511-STD105N10F7AG
STD105N10F7AG

メーカ：

詳細：
MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 6.8 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET i
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¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（2500の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥434.5 ¥435
¥281.2 ¥2,812
¥194.3 ¥19,430
¥157.4 ¥78,700
¥155.3 ¥155,300
完全リール（2500の倍数で注文）
¥146.2 ¥365,500
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
80 A
6.8 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
61 nC
- 55 C
+ 175 C
120 W
Enhancement
AEC-Q101
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: STMicroelectronics
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: CN
下降時間: 15 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 40 ns
シリーズ: STD105N10F7AG
工場パックの数量: 2500
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 46 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 27 ns
単位重量: 330 mg
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選択した属性: 0

データシート

PCN

JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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STripFET™ パワーMOSFETは、新しいゲート構造を持つSTマイクロエレクトロニクス独自のSTripFET™技術の最新の改良効果を享受する、強化版MOSFETです。改善の結果、STripFET™パワーMOSFETは、モーター制御、UPS、DC/DCコンバータ、誘導加熱蒸発器、太陽光発電など、車載用・産業用スイッチングアプリケーションに要求される高電流と低RDS(on)を実現します。STマイクロエレクトロニクス STripFET™パワーMOSFETは、非常に低いスイッチングゲート電荷、優れたアバランシェ耐性、低いスイッチングゲートドライブの電力損失、高出力密度を備えます。STripFET™パワーMOSFETは、業界最低レベルのRDS(on) 30V〜150VパワーMOSFETを提供しています。
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