STDRIVEG212QTR

STMicroelectronics
511-STDRIVEG212QTR
STDRIVEG212QTR

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詳細：
ゲートドライバ High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches
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EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥417.1 ¥417
¥311.3 ¥3,113
¥284.4 ¥7,110
¥254.4 ¥25,440
¥240.2 ¥60,050
¥232.3 ¥116,150
¥225.9 ¥225,900
完全リール（3000の倍数で注文）
¥218 ¥654,000
¥213.3 ¥1,279,800

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: ゲートドライバ
RoHS:  
Gate Driver
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-18
2 Driver
3 Output
1.8 A
10.3 V
18 V
Inverting, Non-Inverting
22 ns
13 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
ブランド: STMicroelectronics
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: TH
開発キット: EVLSTDRIVEG212
最長電源切断遅延時間: 65 ns
最長電源投入遅延時間: 65 ns
水分感度: Yes
動作供給電流: 900 uA
出力電圧: 220 V
製品タイプ: Gate Drivers
伝搬遅延 - 最大: 65 ns
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース: 4.8 Ohms
シャットダウン: Shutdown
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: PMIC - Power Management ICs
技術: GaN
トレードネーム: STDRIVE
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選択した属性: 0

データシート

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USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

STDRIVEG212 220V ハーフブリッジ ゲートドライバ

STマイクロエレクトロニクス (STMicroelectronics) STDRIVEG212 220V ハーフブリッジ ゲートドライバは、5V駆動のエンハンスメントモードGaN HEMTを駆動するために最適化されています。ハイサイドのドライバセクションは、最大220Vの電圧レールをサポートするように設計されており、内蔵のブートストラップダイオードから簡単に給電できます。大電流駆動能力、短い伝搬遅延と優れた遅延整合性、および内蔵LDOにより、STDRIVEG212は高速GaNの駆動に最適です。

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