STDRIVEG600TR

STMicroelectronics
511-STDRIVEG600TR
STDRIVEG600TR

メーカ：

詳細：
ゲートドライバ High voltage half-bridge gate driver for GaN transistors
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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（2500の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥643.1 ¥643
¥486.6 ¥4,866
¥447.1 ¥11,178
¥404.5 ¥40,450
¥383.9 ¥95,975
¥371.3 ¥185,650
¥361.8 ¥361,800
完全リール（2500の倍数で注文）
¥349.2 ¥873,000
¥346 ¥1,730,000
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

他のパッケージ

メーカ 部品番号:
STDRIVEG600
梱包:
Tube
在庫状況:
在庫
価格:
¥830
最低:
1

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: ゲートドライバ
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
SOIC-16
2 Driver
1 Output
5.5 A, 6 A
4.75 V
20 V
7 ns
5 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: STMicroelectronics
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: TW
論理タイプ: CMOS, TTL
水分感度: Yes
出力電圧: 520 V
製品タイプ: Gate Drivers
工場パックの数量: 2500
サブカテゴリ: PMIC - Power Management ICs
技術: GaN
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選択した属性: 0

データシート

PCN

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CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

STDRIVEG600ハーフブリッジゲートドライバ

STMicroelectronics   STDRIVEG600ハーフブリッジゲートドライバは、シングルチップ・ハーフブリッジゲートドライバで、GaN (窒化ガリウム) eHEMT (エンハンスメントモード高電子移動度トランジスタ）またはNチャンネルパワーMOSFETを対象としています。STDRIVEG600のハイサイドは、最高600Vまでの電圧に耐えるように設計されており、最高500Vまでのバス電圧をともなう設計に適しています。このデバイスは、その大電流能力、短い伝搬遅延、最低5Vまでの電源電圧での動作のおかげで、高速GaNおよびシリコンFETの駆動に最適です。 

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