STDRIVEG611Q

STMicroelectronics
511-STDRIVEG611Q
STDRIVEG611Q

メーカ：

詳細：
ゲートドライバ High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches
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最小: 1   倍数: 1
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¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥475.6 ¥476
¥357.1 ¥3,571
¥327.1 ¥8,178
¥293.9 ¥29,390
¥268.6 ¥67,150
¥260.7 ¥130,350
¥257.5 ¥257,500
¥251.2 ¥628,000
¥246.5 ¥1,207,850

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: ゲートドライバ
RoHS:  
Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-18
2 Driver
3 Output
10.6 V
18 V
Inverting, Non-Inverting
11 ns
22 ns
- 40 C
+ 125 C
Tray
ブランド: STMicroelectronics
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: TH
入力電圧－最大: 20 V
入力電圧－最小: 3.3 V
最長電源切断遅延時間: 60 ns
最長電源投入遅延時間: 60 ns
水分感度: Yes
製品タイプ: Gate Drivers
シャットダウン: No Shutdown
工場パックの数量: 4900
サブカテゴリ: PMIC - Power Management ICs
技術: GaN
単位重量: 44 mg
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選択した属性: 0

データシート

CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

STDRIVEG611 ハーフブリッジ ゲートドライバ

STMicroelectronics STDRIVEG611 ハーフブリッジゲートドライバは、Nチャネル エンハンスメントモードGaN向けの高電圧ハーフブリッジゲートドライバです。ハイサイドドライバセクションは、最大600Vの電圧レールに耐えるように設計されており、内蔵のブートストラップダイオードによって簡単に供給することができます。大電流対応、短い伝搬遅延と優れた遅延整合、および内蔵LDOにより、STDRIVEG611は高速GaN駆動向けに最適化されています。

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