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STF28N60DM2

Name: STMicroelectronics STF28N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF28N60DM2
Price: 622 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

511-STF28N60DM2

メーカ番号：

STF28N60DM2

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

MOSFET N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packa

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データシート:

STF28N60DM2 データシート (PDF)

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	¥317.6	¥3,176
	¥287.6	¥28,760
	¥240.2	¥120,100

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-220-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	600 V
Id - 連続ドレイン電流:	21 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	130 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 25 V, 25 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3 V
Qg - ゲート電荷:	34 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	30 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	MDmesh
パッケージ化:	Tube
ブランド:	STMicroelectronics
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	CN
下降時間:	9.3 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	7.3 ns
シリーズ:	STF28N60DM2
工場パックの数量:	1000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	53 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	16 ns
単位重量:	2 g

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データシート

STF28N60DM2 データシート (PDF)

PCN

JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

N-Channel FDmesh Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel FDmesh™ Power MOSFETs are a power MOSFET which belongs to the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to STMicroelectronic's strip layout and associates all advantages of reduced on-resistance and fast switching with an intrinsic fast-recovery body diode. These MOSFETs feature fast recovery, low input capacitance and gate charge, low gate input resistance, and extremely high dv/dt and avalanche capabilities.

MDmesh DM2パワーMOSFET

STMicroelectronics MDmesh DM2 シリーズは、ST最新の高速リカバリダイオードシリーズの600VパワーMOSFETで、ZVS位相シフトブリッジトポロジ向けに最適化されています。非常に低い回復電荷および時間（Qrr、trr）を特徴としており、前の世代に比べてR_DS(on)が20%低くなっています。高いdV/dt耐久性（40V/ns）がシステムの信頼性を向上させています。
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