STF7NM80

STMicroelectronics
511-STF7NM80
STF7NM80

メーカ：

詳細：
MOSFET N-CH 800V IPAK DPAK Mdmesh PWR MOSFET
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製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
6.5 A
1.05 Ohms
- 30 V, 30 V
4 V
18 nC
- 55 C
+ 150 C
25 W
Enhancement
MDmesh
Tube
ブランド: STMicroelectronics
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: IT
下降時間: 10 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 4 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 8 ns
シリーズ: STF7NM80
工場パックの数量: 1000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 35 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 20 ns
単位重量: 2 g
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選択した属性: 0

データシート

PCN

JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs

STMicroelectronics' MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market. Key features include low input capacitance and gate charge, low gate input resistance, and best RDS(on)*Qg in the industry.

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