STFW38N65M5

STMicroelectronics
511-STFW38N65M5
STFW38N65M5

メーカ：

詳細：
MOSFET N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package
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合計 額
¥1,003.3 ¥1,003
¥769.5 ¥7,695
¥548.3 ¥54,830
¥489.8 ¥293,880

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-3PF-3
N-Channel
1 Channel
650 V
30 A
95 mOhms
- 25 V, 25 V
4 V
71 nC
- 55 C
+ 150 C
57 W
Enhancement
MDmesh
Tube
ブランド: STMicroelectronics
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: KR
下降時間: 9 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 9 ns
シリーズ: Mdmesh M5
工場パックの数量: 300
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
単位重量: 7 g
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選択した属性: 0

データシート

PCN

JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

パワーMOSFETとIGBTの最新技術

STMicroelectronicsは、パワーMOSFETとIGBTの最新技術を提供します。STは、SMPS、照明、モータ制御、およびさまざまな産業アプリケーションをターゲットとしたお客様の特定のアプリケーションに合わせてカスタマイズされたMOSFETSおよびIGBTの広範なポートフォリオを提供しています。STのポートフォリオには、ハードおよびソフト・スイッチド・トポロジ用の高電圧スーパージャンクションMOSFETとトレンチゲート・フィールドストップIGBT、ならびに電力変換およびBLDCモータ駆動用の低電圧トレンチベースMOSFETがあります。STの最新の1200V SiC MOSFETは、非常に低いRDS(on)領域（最低変動対温度）を備えた業界で最も高温の200°Cのジャンクション定格温度と、より効率的で小型のSMPS設計のための卓越したスイッチング性能を組み合わせています。MシリーズIGBTは、モータ制御を対象としており、堅牢な短絡定格に加えてVCE(SAT)とE（off）の最適化されたトレードオフがあります。STのあらゆるパワー設計向けMOSFETおよびIGBTの総合的な品揃えをご覧ください。

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STマイクロエレクトロニクス Nチャネル MDmesh™ VパワーMOSFETは、独自の革新的な垂直プロセスとSTマイクロエレクトロニクスの有名なPowerMESH™水平レイアウト構造を組み合わせた革命的パワーMOSFET技術、MDmesh™ Vを採用しています。STマイクロエレクトロニクス Nチャネル MDmesh™ VパワーMOSFETは、シリコンベースのパワーMOSFETでは類を見ない極めて低いオン抵抗を達成し、特に、優れた出力密度と卓越した効率を必要とするアプリケーションに適しています。
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