STGF5H60DF

STMicroelectronics
511-STGF5H60DF
STGF5H60DF

メーカ：

詳細：
IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥256 ¥256
¥122.5 ¥1,225
¥108.4 ¥10,840
¥86 ¥43,000
¥70.6 ¥70,600

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: IGBT
RoHS:  
Si
TO-220FP-3
Through Hole
Single
600 V
1.5 V
- 20 V, 20 V
10 A
24 W
- 55 C
+ 175 C
STGF5H60DF
Tube
ブランド: STMicroelectronics
連続コレクタ電流 IC 最大値: 10 A
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: CN
ゲート - エミッタ リーク電流: 250 nA
製品タイプ: IGBT Transistors
工場パックの数量: 1000
サブカテゴリ: IGBTs
単位重量: 2.300 g
製品が見つかりました:
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選択した属性: 0

データシート

PCN

JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

1200V H シリーズ トレンチ ゲート フィールド停止 IGBT

STMicroelectronics 1200V HシリーズトレンチゲートフィールドストップIGBT は、独自の先進的トレンチゲートとフィールドストップ構造を使用して開発された高速IGBTです。あらゆる周波数コンバータの効率性を最大化するため、導電性と切替損失によるマイナスを最適化します。STの先進的トレンチゲートフィールドストップ高速技術により、これらのIGBTはTJ=150°C時の短絡耐久時間5μs以上、最小限のコレクタ電流オフ時テール電流、2.1V（typical）の非常に低い飽和電圧（Vce(sat)）で、切り替え中およびオン時のエネルギー損失を最小限に抑えます。さらに、ややプラスのVCE(sat) 温度係数と非常にタイトなパラメータ分布により、より安全な並列接続動作がもたらされます。1200V HシリーズトレンチゲートフィールドストップIGBTは、無停電電源、溶接機、太陽光発電インバータ、力率補正、高周波数コンバータに最適です。
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