STGP10M65DF2

STMicroelectronics
511-STGP10M65DF2
STGP10M65DF2

メーカ：

詳細：
IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss
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¥-
合計 額:
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EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥295.5 ¥296
¥188 ¥1,880
¥126.6 ¥12,660
¥100.2 ¥50,100
¥91.6 ¥91,600
¥86.4 ¥172,800

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: IGBT
RoHS:  
Si
STGP10M65DF2
Tube
ブランド: STMicroelectronics
組立国: CN
拡散国: Not Available
原産国: CN
製品タイプ: IGBT Transistors
工場パックの数量: 1000
サブカテゴリ: IGBTs
単位重量: 2 g
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選択した属性: 0

JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

650V MシリーズトレンチゲートフィールドストップIGBT

STMicroelectronics 60V MシリーズトレンチゲートフィールドストップIGBTは、独自の先進的トレンチゲートとフィールドストップ構造を使用して開発しています。650V Mシリーズは最大100kHzの動作周波数を備えたアプリケーション用に、3A～150Aの最大コレクター電流を供給します。設計が最適化されており、カスタマイズされた内蔵の抗並列ダイオードでご利用いただけます。
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