STGW50H65DFB2-4

STMicroelectronics
511-STGW50H65DFB2-4
STGW50H65DFB2-4

メーカ：

詳細：
IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥837.4 ¥837
¥474 ¥4,740
¥357.1 ¥35,710

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: IGBT
RoHS:  
Si
Through Hole
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
86 A
272 W
- 55 C
+ 175 C
Tube
ブランド: STMicroelectronics
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: CN
製品タイプ: IGBT Transistors
工場パックの数量: 600
サブカテゴリ: IGBTs
単位重量: 4.430 g
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選択した属性: 0

データシート

PCN

USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

650V HBシリーズ・トレンチ・ゲートフィールド停止IGBT

STMicroelectronics 650V HBシリーズトレンチゲートフィールドストップIGBTは、独自の先進的トレンチゲートとフィールドストップ構造を使用して開発されたIGBTです。あらゆる周波数コンバータの効率性を最大化するため、導電性と切替損失によるマイナスを最適化します。STの先進的トレンチゲートフィールドストップ高速技術により、これらのIGBTは最小限のコレクタ電流オフ時テール電流、および1.6V（typical）の非常に低い飽和電圧（Vce(sat)）で、切り替え中およびオン時のエネルギー損失を最小限に抑えます。さらに、ややプラスのVCE(sat) 温度係数と非常にタイトなパラメータ分布により、より安全な並列接続動作がもたらされます。
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